陳立武任英特CEO 研調:「晶圓代工」恐轉向收縮
(2025/03/14 15:10)
英特爾新機台投產「拚趕上台積電」外媒:有望短期領先

英特爾(Intel)日前在美國加州聖荷西的技術會議上宣布,其購置的首兩台High-NA EUV(高數值孔徑極紫外曝光機)設備已正式投入生產,這無疑是Intel在晶圓代工領域的重要進展,也象徵其加速追趕台積電(2330)和三星(Samsung)的決心。
High-NA EUV設備是荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾ASML研發的第二代EUV曝光機,其數值孔徑(NA)從第一代EUV的0.33提升至0.55,可實現更精細的電路圖案,使晶圓廠能夠生產3奈米以下的晶片,Intel於去年率先取得該設備,成為全球首家部署此技術的晶圓代工廠。
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據外國科技媒體《PhoneArena》報導,Intel高級首席工程師卡森(Steve Carson)在昨天的會議上表示,High-NA EUV技術不僅能夠提高曝光解析度,還可顯著降低生產步驟與成本。相比於第一代EUV曝光技術,需要三次曝光與約40道製程步驟才能完成圖案轉印,High-NA EUV僅需一次曝光與個位數的製程步驟,大幅提升效率。
卡森進一步透露,目前已透過High-NA EUV設備成功生產出3萬片晶圓,且產能穩定,他表示:「我們正在以穩定的速率產出晶圓,這對於整體平台而言是極大的利多。」Intel計劃將High-NA EUV技術應用於即將量產的Intel 18A製程,預計於2025年下半年量產,技術水準相當於台積電與三星的2奈米製程。
此外,Intel將透過「晶背供電」(Backside Power Delivery)技術使晶片能以更高效能運作,該技術可將電源線路移至晶片背面,使電力傳輸更有效率,進一步提升晶片運作速度,台積電則計劃在2026年N2P(第二代2奈米)節點才導入類似技術,報導認為,Intel因此可望在短時間內取得製程優勢。
Intel曾在晶圓製程領域佔據主導地位,但在10奈米製程開發時遇上困難,導致落後於台積電與三星,該公司在當時過度依賴舊有曝光機設備,並且花費七年才開始全面採用EUV技術,使競爭對手趁勢超車,如今,Intel迅速投入High-NA EUV技術,顯示其不願重蹈覆轍,希望透過新一代光刻設備加速回歸技術領導地位。
High-NA EUV設備將首先應用於Intel 18A製程,並用於生產代號為「Panther Lake」的筆電處理器。此外,該技術未來還將支援更先進的Intel 14A製程,不過Intel目前尚未公布14A製程的正式量產時程。
(封面圖/東森財經新聞張琬聆攝)
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