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中國EUV技術大突破 陸媒曝「ASML沉默原因」:不敢相信

2025/01/20 09:36 東森財經新聞
中國EUV技術大突破 陸媒曝「ASML沉默原因」:不敢相信

荷蘭光刻設備巨頭艾司摩爾(ASML)生產的微影設備,獨霸晶片先進製程市場,該公司執行長Christophe Fouquet還曾直言,儘管中國在半導體領域取得一定進展,但與英特爾、台積電和三星相比在晶片製造能力上仍落後10~15年,但日前中國哈爾濱工業大學宣布突破13.5奈米極紫外光源技術,消息不僅被視為重大突破,更被陸媒形容成是突破西方的技術封鎖,對此艾司摩爾則是選擇保持沉默。

根據《新浪財經》報導,哈爾濱工業大學日前宣布,由樊繼壯教授帶領的科研團隊採用放電等離子體技術,成功製備出13.5奈米的極紫外光源技術,意味著國產EUV光刻機技術取得重大突破,但消息釋出一段時間以來,包含ASML與台積電等企業以及美國政府始終保持沉默。

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報導提到,新加坡的APS資產管理公司創始人兼聯席首席資訊長黃國輝 (Wong Kok Hoi)曾在訪談中表態,他看好中芯國際這家公司,並且認為中芯將利用本土優勢在全球市場與台積電競爭,市值上也有望追上台積電。據了解,台積電目前市值大約1兆美元,中芯國際則落在500億美元左右。

報導指出,王國輝突然表態看好中芯國際,主要是認為中國國內市場龐大且具備一定的「隔離效應」,欠缺的就是一台國產EUV光刻機,一旦有公司成功研發出EUV光刻設備,屆時與其他企業的晶片戰就會結束,背後看到的就是國產EUV光刻機技術的潛力。

根據報導介紹,哈工大這次突破的光源技術波長是13.5奈米,美國Cymer公司使用的是傳統的LPP技術,而哈工大使用是的則是DPP技術,也就是放電等離子體極紫外光刻光源,與荷蘭採用透鏡技術獲得極紫光不同,哈工大是通過粒子加速輻射取得極紫光,這一創新方法展示中國在光刻機領域的重大突破,這項技術一旦成熟並且滿足商用量產需求,將直接滿足國內市場對EUV光刻光源的需求。

報導強調,光刻機的光源佔據7成以上的重要性,按理說如此重大的技術突破,影響最大的會是ASML與台積電,但兩者都表現得非常沉默,這背後一半是焦慮,另一半則是不相信中國能自主打造出EUV光刻機。

不過陸媒也坦言,哈工大EUV光源要從技術驗證到真正量產,仍然有不少問題需要解決,比如光源穩定性提升、系統優化、商用化適配等,此外與光刻機配合的還有晶片製造工藝,這方面台積電可謂領先全球,每一代技術都在提前佈局而且不怕砸錢,2023年在研發上就投入高達360億美元,目前已實現3奈米量產,更先進的2奈米已經在研發,「因此ASML的護城河很高,要短時間顛覆它的技術與設備,並不是那麼容易。」

(封面示意圖/翻攝自新浪財經)

 

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