老毛病又犯了？傳三星HBM晶片未能通過Nvidia測試

三星電子積極開發新晶片，近期卻傳出負面消息，根據路透社引述消息人士說法，三星的HBM晶片未能通過輝達（Nvidia）測試，但尚未獲得證實。

路透社報導引述三名知情人士說法，指稱三星旗下最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片，由於發熱和功耗問題，未能通過輝達測試，不過輝達拒絕評論該說法。

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消息人士透露，發熱和功耗問題影響到HBM3晶片，該晶片是目前AI圖形處理器（GPU）最常用的第四代HBM標準，甚至影響到三星的業務以及他的競爭對手們，正在推向市場的第五代HBM3E晶片。

消息人士提到，三星去年開始一直努力想通過輝達對HBM3和HBM3E的測試，但始終未能達成，最近一次對三星8層和12層HBM3E晶片測試失敗是在4月份通報。

三星提供給路透社的聲明表示，HBM是一款客製化記憶體，需要「根據客戶需求進行優化流程」，還透露正在通過與客戶的密切合作來優化產品，拒絕對特定客戶發表評論。

（封面示意圖／Unsplash）