記憶體會大爆發 吳敏求2021早知道？ 專家：HBM4將成「完美風暴」

隨著人工智慧需求呈現幾何級數增長，半導體產業正迎來關鍵的架構轉置。產業焦點正式從「算力中心」轉向「記憶體中心運算」。專家分析指出，即將面臨量產的 HBM4（第四代高頻寬記憶體）將成為一場「完美風暴」。

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從配角到核心 打破「記憶體高牆」

前台積電工程師、擁有18年投資操盤經驗的基金經理人沈萬鈞（4）日在粉專上分析指出，在2021年秋季時，曾去拜訪旺宏吳敏求先生，那時候他提出「在面對AI和物聯網世代，傳統以處理器為中心，但未來需要速度更快及容量更大的記憶體，將是一個以記憶體為中心的運算時代」。沈萬鈞坦言當時心裡是打問號的，還跟同事說這未免太過天馬行空，相較於台積電為主的先進半導體，記憶體根本只是配角。

但在GPU與AI加速器主導的今日，系統真正卡住的，往往不是「算不出來」，而是「餵不進去」。效能受限於資料搬運的物理極限，即所謂的「記憶體高牆」。當昂貴的算力資源被迫等待資料輸入時，效率折損將直接影響資本市場的投資報酬率。

HBM是這次消耗記憶體資源的核心來源，針對未來HBM4的推出，沈萬鈞直言更是可以用「完美風暴」來形容，它不是單純「更快一點的 DRAM」，而是一次系統架構的重置，HBM4的意義不在於某個單點規格，而在於它把記憶體做成一個可被封裝、可被系統設計、甚至帶有邏輯底座（Logic Base Die）的「運算級元件」。本質上就是把記憶體從配角拉回舞台中央。

HBM4的三大挑戰 產能消耗呈現非線性成長

沈萬鈞近一步分析，HBM4對標準DRAM產能的「排擠效應」將進一步擴大，產能的機會成本比例已推升至 1:5 甚至更高，主要受到三大技術演進影響：

1.介面寬度翻倍（2048-bit）：

為了容納兩倍數量的矽穿孔與控制電路，單顆晶粒面積較HBM3E增加約10～15%，導致單片晶圓可產出的有效晶粒顯著減少。

16層堆疊（16Hi）挑戰：

隨堆疊層數增加，綜合成品率受非線性損耗影響，從12層的 88.6%下降至16層的85.1%，只能要求原廠投入更多晶圓以維持產出。

混合鍵合（Hybrid Bonding）工藝：

為符合封裝高度限制，HBM4導入混合鍵合技術取代傳統微凸塊，極高的潔淨度要求與長循環生產時間，進一步壓縮了整體產出效能。

針對以上影響變化，沈萬鈞直言，未來記憶體的重要性將不亞於先進製程與先進封裝，原因是產業結構真的在變。

記憶體稀缺性改變下游生態

由於HBM4吸引了最頂尖的產能與封裝資源，這股效應已外溢至DDR5、LPDDR 及 eSSD 供應鏈。沈萬鈞表示2026年記憶體市場已不再是單純的週期性價格波動，而是進入「供需再定錨」階段。

對於終端裝置如AI PC與智慧型手機而言，記憶體在物料清單（BOM）中的占比持續攀升，迫使品牌廠必須在提高售價或調整規格間做出抉擇。未來產品的差異化將不再僅限於外觀或相機，而取決於其配置記憶體的能力，這將直接決定 AI 功能的體驗上限。

最後沈萬鈞總結：過去投資半導體，重點是誰把晶片做得最小；未來我們投資AI硬體，重點會變成誰能把資料餵得最快、搬得最省電、存得最多，而這件事的主角，叫記憶體。

▼2026記憶體中心運算時代：HBM4完美風暴與產業結構。(圖／翻攝自臉書＠萬鈞法人視野 WJ Capital Perspective）

（封面示意圖／翻攝Pixabay）