記憶體反彈該逃命? 法人讚「這檔」大受惠 潛在漲幅66%

東森財經新聞
記憶體反彈該逃命? 法人讚「這檔」大受惠 潛在漲幅66%

受惠美光與SK海力士勁揚帶動台股記憶體族群全面點火,華邦電更攻上171元漲停板。本土法人表示,華邦電營運將迎來爆發性成長,維持「強力買進」評等,目標價喊上285元,以今日漲停價計算潛在漲幅仍達66.67%。

台股記憶體族群全面點火

受惠於美股記憶體族群大漲,美光與SK海力士雙雙勁揚逾一成,激勵台日韓記憶體股連袂走強。台股22日延續反彈氣勢,在國際龍頭領軍與AI需求強勁的雙重利多帶動下,華邦電、旺宏與南亞科等指標股紛紛攻上漲停,排隊買單均超過萬張以上,成為盤面上最強勢的主流焦點。

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利基型排擠效應顯現受惠

法人表示,近期DDR3現貨價大漲114%,遠高於DDR4 8Gb現貨價的11%漲幅,顯示利基型排擠效應正逐步顯現。三大原廠將產能優先轉向高毛利的HBM,導致主流型與利基型產品同步供需緊縮。華邦電高雄新廠將新增16奈米製程產能,主要應用於DDR4 8Gb單顆產品,月產能將從2026年第3季初期的3千片,快速攀升至2027年第2季的1.6萬片,有望成為推進獲利成長的核心關鍵。

產品線漲價動能強勁爆發

在產品價格趨勢方面,法人預期華邦電2026年第3季DRAM平均售價有望季增50%。SLC NAND缺貨情形加劇,預估第3季與第4季價格將分別季增70%與60%,NOR Flash則因供給持續吃緊,預計每季價格將保持10%的漲幅。

供需缺口延伸至2027年

SK海力士會長崔太源於韓國論壇表示,2027年整體市場供給缺口將持續放大。法人預期記憶體循環效益將更勝2000年網路泡沫,故給予4.5倍本益比評價,目標價看至285元,維持強力買進評等。

(封面示意圖/AI生成)

 

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