近期市場擔憂雲端服務商自由現金流壓力、記憶體景氣循環降溫,以及中國記憶體概念股遭調節,不過大摩最新報告認為,市場對記憶體過於悲觀,第3季DDR4、SLC/MLC NAND及NOR Flash價格漲勢將比市場預期更強,台灣相關供應鏈包括旺宏、南亞科、華邦電等可望持續受惠。
摩根士丹利指出,根據TrendForce預估,今年第3季傳統DRAM價格將季增13%至18%,其中PC DDR5、伺服器DDR5價格皆可望季增13%至20%,NAND價格則估上漲10%至15%;第4季DRAM仍有3%至8%的漲幅,NAND則可望持平至小幅上漲。但大摩認為實際情況可能比市場預估更樂觀,尤其DDR4供給缺口持續擴大,價格漲幅將遠高於主流DDR5。
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報告指出,近期大型雲端服務供應商願意接受更高的DDR4價格,甚至有意與供應商簽訂1至2年的長期供貨協議,雖然合約主要鎖定供貨量而非價格,但反映市場對DDR4供應吃緊已有高度共識。大摩因此上修DDR4價格預測,預估第3季每月價格可望持續上漲逾20%,整季漲幅至少達30%,遠高於市場原先預期。
除了DDR4之外,大摩也持續看好舊世代Flash產品。其中,SLC/MLC NAND第3季價格可望季增50~60%,NOR Flash更有望季增30~40%。報告認為,目前DDR4、SLC/MLC NAND與NOR Flash仍存在結構性供需缺口,因此價格仍具上漲動能。相較之下,主流DRAM與3D NAND價格雖仍維持上升趨勢,但漲幅已逐步回歸正常水準。
針對中國記憶體設計業者兆易創新日前示警,部分利基型記憶體產品未來可能出現價格大幅下滑,引發市場擔憂,大摩認為,該公司反映的是較長期趨勢,而非短期市場變化。
至於投資策略,大摩表示,目前旺宏、南亞科及華邦電分別交易於2028年預估每股淨值的1.5倍、1.2倍及1.2倍,本益比雖仍受景氣循環影響,但從歷史經驗來看,當股價回落至約1倍BVPS附近時,通常具有較強支撐力,因此目前估值已逐步浮現下檔保護。
(封面示意圖/AI生成)
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