半導體設備與材料龍頭廠應用材料積極搶攻記憶體商機,推出DRAM微縮的材料工程解決方案,進一步微縮DRAM並加速改善晶片效能、功耗和單位面積成本和上市時間(PPACt),且應材正與客戶合作將此三種材料導入商業化。
應材提到,這三款解決方案適用於DRAM晶片的三項領域,包括儲存電容器,金屬導線互連佈線和邏輯電晶體。這些裝置正逐漸投入大量生產,並有望在未來數年內顯著增加應材DRAM業務的營收。
Draco硬質光罩材料與Sym3 Y蝕刻系統共同最佳化,可加快DRAM電容器微縮進程DRAM製造商採用應材率先推出的Black Diamond低k值介電材料技術,克服邏輯電路中的導線互連微縮挑戰高k值金屬閘極電晶體現已導入先進DRAM設計之中,藉此提高效能並降低功耗,同時縮小周邊邏輯電路以改善面積和成本效益,而首批HKMG DRAM也已問世。基於上述DRAM技術轉變在未來數年間的發展,應用材料預期可增加數十億美元的營收。
在全球經濟數位轉型的帶動下,DRAM的市場需求不斷創造新高。物聯網在終端建立數千億個新型運算裝置,促使傳輸到雲端處理的資料激增。業界迫切需要突破,以利實現DRAM微縮,進而減少面積和成本,同時以更高的速度和更低的功耗運作。
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