聯電攜手英特爾攻12奈米製程! 預計2027年量產

中央社
聯電攜手英特爾攻12奈米製程! 預計2027年量產

晶圓代工廠聯電今天召開股東常會,總經理王石表示,與英特爾(Intel)於美國合作12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)進展順利,目前正在亞利桑那州廠區進行驗證,預計2027年量產。

王石致詞說,過去一年,聯電迎來成立45週年重要里程碑,面對全球消費需求回升緩慢、地緣政治不確定性升高,以及匯率波動和外部挑戰,聯電憑藉明確的差異化策略和穩健的執行性,持續展現長期競爭力,並繳出穩健營運成果。

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聯電去年營收達新台幣2376億元,毛利率29%,營業利利率18.5%,歸屬母公司淨利417億元,每股純益3.34元。王石表示,聯電在面對挑戰下,仍能以審慎策略、強韌體制及技術深耕,維持穩健的成長。

王石指出,聯電22奈米、28奈米及特殊製程的年度營收貢獻再創歷史新高,鞏固了聯電在成熟及特殊製程領域的地位;在新加坡廠第3期擴建順利,進一步強化聯電全球供應鏈及產能布局的韌性。

王石說,聯電持續聚焦高附加價值技術及未來關鍵應用,積極布局次世代成長動能,去年研發投入達177億元,專注於5G、通訊物聯網、車用電子及AI等未來創新領域所需要的技術開發。

在12奈米FinFET平台方面,王石表示,聯電與英特爾於美國合作進展順利,英特爾已完成製程技術轉移,目前正在亞利桑那州廠區進行驗證,預計今年完成驗證,並於明年量產,成為聯電重要的美國在地製造布局。

在先進封裝領域,王石指出,聯電持續推進AI相關應用,主動式的中介層,目前正與多家客戶進行驗證;導入深溝槽電容技術的2.5D封裝解決方案,也順利出貨予主要的客戶。在次世代高速通訊領域方面,聯電已取得imec矽光子技術授權,12吋矽光子技術平台已正式進入試產階段,積極的布局下世代高速連接應用市場。

(封面圖/翻攝《聯華電子 UMC》粉專)

 

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