隨著AI晶片市場需求持續升溫,技術競賽正從先進製程逐步延伸至先進封裝領域。業界傳出,英特爾新一代EMIB-T先進封裝技術良率已突破90%,將於2027年進入量產,預期其成本有望較台積電低約五成。
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口袋證券表示,台積電的CoWoS封裝主要仰賴大面積矽中介層連接運算晶片、I/O晶片與高頻寬記憶體;而英特爾EMIB技術則僅於高速互連需求處嵌入矽橋,無須採用完整大型中介層。換言之,CoWoS如同鋪設一大片高速公路,而EMIB則是在必要位置架設專用的快速通道,進而大幅減少材料用量及製程複雜度。
進一步來看,EMIB-T在矽橋中導入矽穿孔技術(TSV),使電力分配更加直接,有效提升訊號品質及電源效率,足以支援新一代HBM及大型AI晶片需求,為英特爾爭取新一波競爭優勢。
口袋證券指出,雖然EMIB-T的良率已逾九成,跨越關鍵技術門檻,但與台積電CoWoS仍有差距。根據業內評估,台積電CoWoS量產良率可達98%以上,而封裝良率自九成提升至98%屬於技術難度極高的後段突破,更考驗供應鏈整合及製程成熟度。尤其現今AI加速器及HBM整合日益複雜,任何環節微小失誤都可能導致整體良率下滑。
未來EMIB-T能否挑戰CoWoS主流地位,仍須觀察三大指標:
口袋證券提到,目前在全球AI晶片需求快速擴張下,先進封裝產能已成為產業瓶頸。在此背景下,EMIB-T短期內更適合作為補充產能及第二供應來源,未必直接取代CoWoS,但可為終端客戶提供更多彈性與選擇,協助平衡成本、功耗、頻寬及交期需求;聯發科也已公開表示,旗下客製化晶片平台同時支援台積電及英特爾封裝。
值得一提的是,這場競爭並非只有英特爾與台積電之間的對決,背後仍牽動多家台灣半導體業者。口袋證券點名,除了傳言中聯發科已投入支援EMIB-T架構的AI晶片設計,聯電(2303)則負責提供EMIB封裝所需矽橋,力積電(6770)則供應封裝內之整合型被動矽電容;不過,各家廠商合作細節及營收貢獻,仍待正式公告及財報揭露。
口袋證券直言,英特爾EMIB-T真正值得注意的,不只是傳聞中的「成本只有一半」,而是先進封裝市場可能從單一主流方案,逐步走向多平台競爭;當AI晶片持續朝向更大封裝尺寸、更多HBM及多晶粒架構發展,未來半導體競爭的核心,將不只是誰能製造最先進的晶片,也包括誰能以更低成本、更高良率,把不同晶片穩定地整合成完整系統。
(封面圖/AI生成)
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