英特爾新機台投產「拚趕上台積電」外媒：有望短期領先

英特爾（Intel）日前在美國加州聖荷西的技術會議上宣布，其購置的首兩台High-NA EUV（高數值孔徑極紫外曝光機）設備已正式投入生產，這無疑是Intel在晶圓代工領域的重要進展，也象徵其加速追趕台積電（2330）和三星（Samsung）的決心。

High-NA EUV設備是荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾ASML研發的第二代EUV曝光機，其數值孔徑（NA）從第一代EUV的0.33提升至0.55，可實現更精細的電路圖案，使晶圓廠能夠生產3奈米以下的晶片，Intel於去年率先取得該設備，成為全球首家部署此技術的晶圓代工廠。

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據外國科技媒體《PhoneArena》報導，Intel高級首席工程師卡森（Steve Carson）在昨天的會議上表示，High-NA EUV技術不僅能夠提高曝光解析度，還可顯著降低生產步驟與成本。相比於第一代EUV曝光技術，需要三次曝光與約40道製程步驟才能完成圖案轉印，High-NA EUV僅需一次曝光與個位數的製程步驟，大幅提升效率。

卡森進一步透露，目前已透過High-NA EUV設備成功生產出3萬片晶圓，且產能穩定，他表示：「我們正在以穩定的速率產出晶圓，這對於整體平台而言是極大的利多。」Intel計劃將High-NA EUV技術應用於即將量產的Intel 18A製程，預計於2025年下半年量產，技術水準相當於台積電與三星的2奈米製程。

此外，Intel將透過「晶背供電」（Backside Power Delivery）技術使晶片能以更高效能運作，該技術可將電源線路移至晶片背面，使電力傳輸更有效率，進一步提升晶片運作速度，台積電則計劃在2026年N2P（第二代2奈米）節點才導入類似技術，報導認為，Intel因此可望在短時間內取得製程優勢。

Intel曾在晶圓製程領域佔據主導地位，但在10奈米製程開發時遇上困難，導致落後於台積電與三星，該公司在當時過度依賴舊有曝光機設備，並且花費七年才開始全面採用EUV技術，使競爭對手趁勢超車，如今，Intel迅速投入High-NA EUV技術，顯示其不願重蹈覆轍，希望透過新一代光刻設備加速回歸技術領導地位。

High-NA EUV設備將首先應用於Intel 18A製程，並用於生產代號為「Panther Lake」的筆電處理器。此外，該技術未來還將支援更先進的Intel 14A製程，不過Intel目前尚未公布14A製程的正式量產時程。

（封面圖／東森財經新聞張琬聆攝）