中國自製DUV曝光「極限恐至5奈米」 專家說話了

傳言，中芯國際（中芯國際積體電路製造有限公司）正在測試一台28奈米製程的DUV曝光機，並計劃藉此來生產7奈米晶片。據外媒報導，儘管良率較低，但中國測試中的DUV曝光機技術極限可能推進至5奈米製程，對此，專家認為曝光機尚在測試階段，要進一步挑戰16奈米或7奈米，恐怕得等到2030年之後。

DUV曝光機為何這麼重要？

★【理財達人秀】2數據亮燈 台股3萬5? 籌碼轉強ing 翻身大戶股 ★

曝光機是製造晶片的關鍵設備，在半導體產業中扮演舉足輕重的角色，少了曝光機晶片生產便會停滯。目前主流的曝光機類型主要有紫外線（UV）、深紫外線（DUV）和極紫外光（EUV），它們分別應用於不同的晶片製程。

據外媒報導，儘管良率較低，但中國測試中的DUV曝光機技術極限可能推進至5奈米製程，美國商務部長盧特尼克曾表示，美國早期僅封鎖中國取得EUV曝光機，而多家中國半導體廠已趁禁令生效前大量購入DUV曝光機，藉此大幅擴充成熟製程產能。

中國低價策略搶攻訂單 蠶食全球晶圓代工廠利益

根據TrendForce報告，2024年中國在全球成熟製程產能的佔比為34%，台灣則為43%。預估至2027年，台灣在全球晶圓代工成熟製程的產能佔比將降至40%，與中國39%幾乎持平；業界普遍認為，中國的成熟製程廠將透過低價策略搶攻訂單，此舉勢必將衝擊全球成熟晶圓代工廠的營運表現。

市場法人認為，受到中國晶圓代工廠的競爭影響，2025年台灣三大成熟製程廠聯電、世界先進及力積電的營運不易出現顯著的回升力道。隨著各國日益依賴中國製造的成熟晶片，中國在半導體產業鏈中的話語權將持續增強，一旦中國在全球成熟晶片市場取得主導地位，便等於融入了半導體產業鏈的關鍵環節。

晶片自主有待觀察 仍需時間積累

外媒指出，中國短期內能否實現晶片自主還有待觀察，這款國產DUV曝光機的水準，約等於ASML在2008年推出的Twinscan NXT:1950i，這款機器當年被用於32奈米製程並可支援22奈米；此外，這款曝光機尚在測試階段，有專家認為，若要進一步挑戰16奈米或7奈米，恐怕得等到2030年之後。

中國要在 7奈米及以下的先進製程上與台積電、三星競爭，仍需長時間的努力與技術積累，面對全球競爭，中國半導體產業的成長仍然充滿挑戰，但也蘊藏巨大的發展潛力。

（封面圖／翻攝Unsplash）