福建晉華傳擴產 DRAM缺口遭破解？ 專家：關鍵在時間

全球記憶體市場持續升溫，DRAM（動態隨機存取記憶體）與NAND Flash（儲存型快閃記憶體）價格過去一年分別暴漲近四倍與兩倍，供需嚴重失衡。從上游原廠、模組廠到系統廠、終端品牌，整條供應鏈全面吃緊，三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）三大原廠更啟動嚴格「配額制」，限量供貨甚至比疫情期間更緊，業界直言：「現在最怕的不是漲價，是根本拿不到貨。」

前台積電工程師、擁有18年投資操盤經驗的基金經理人沈萬鈞今（2）日在粉專上分析指出，今年第一季傳出NOR Flash（唯讀型快閃記憶體）價格上漲30%至100%，已透露關鍵訊號：當整體半導體資本支出與產能規畫全面向先進製程集中，成熟製程勢必在某個時間點出現結構性供給缺口。由於車用、工控、網通與消費性電子等長尾需求仍在，且多數系統設計綁定既有成熟製程，並非短期能更換規格或供應商。

★【理財達人秀】3萬補票 誰會更飆 台積亮王牌 剛起漲名單 ★

近期市場盛傳福建晉華計畫將19奈米等級DRAM產能，於2026年擴充至每月6萬片晶圓，有望紓解DDR4供給壓力。對此，沈萬鈞提醒，焦點不在於是否敢喊擴產，而在於「物理時間與產線協同的問題」。他表示無塵室建置需歷經土建、系統、驗證、搬入、調校一路走完，通常就是一年以上起跳。機台進廠、安裝、調校到穩定試產，也以季度甚至年計，產能從「名目數字」轉為「有效供給」並非一蹴可幾。

此外，測試端同樣是隱形瓶頸。DRAM tester（記憶體測試機）原本就供給吃緊，當先進產品測試需求優先排隊，成熟製程更容易被排擠，導致後段出貨受阻、良率拉升緩慢。再加上載板、T-glass（薄型玻璃基板）與整體供應鏈排程問題，使成熟節點陷入「需求還在、供給彈性消失」的結構性困境。

專家認為，即便福建晉華成功擴產，進場時市場恐已被缺貨與高價「教育」過，客戶多半提前簽署長約鎖量，價格也難回到過去買方市場。整體而言，當資源持續向先進製程集中，成熟製程記憶體反而可能越來越缺。沈萬鈞總結，這一輪記憶體市場「缺的不是意願，而是時間，以及整條供應鏈真正協同後的有效產能」。

▼沈萬鈞認為即便福建晉華成功擴產，關鍵在時間。（圖／翻攝《萬鈞法人視野 WJ Capital Perspective》粉專）

（封面示意圖／翻攝Pixabay）