高燒125°C不當機！ 「這功臣」大缺57% 力積電、華邦電惦惦吃三碗公

AI伺服器高燒125°C不當機，全靠矽電容穩壓！大摩示警全球大缺料57%，傳統DRAM製程延伸成台廠轉型印鈔機，力積電、華邦電與愛普正憑獨門絕活惦惦吃三碗公。

矽電容與MLCC聯手穩壓

當AI伺服器的運算溫度動輒突破125°C，晶片供電穩不穩，開始決定整台機器會不會當機。口袋證券在臉書發文表示，這個關鍵任務過去交給大家熟悉的「MLCC」，但現在，一顆更薄、更貼近晶片的新元件正接手，那就是矽電容。外資券商摩根士丹利在最新供需模型報告中示警，扣除台積電自產自用的部分，國際市場矽電容供給極度吃緊，預估今年全球短缺率將高達57%，未來三年都可能陷入結構性缺料。

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口袋證券臉進一步分析，MLCC是電子產品裡最常見的被動元件，但傳統MLCC遇到高溫高壓環境時，電容量會明顯衰減，這對AI晶片來說是個麻煩。矽電容並非要取代MLCC，而是補上MLCC做不到的那一塊。它利用半導體微影與深溝槽蝕刻技術製造，厚度能做到低於100微米，且高溫下電容量幾乎維持穩定，因此能直接內埋在晶片正下方或先進封裝內部。未來，板端仍由MLCC負責大面積供電，封裝內部則交給矽電容做最靠近晶片的最後一道電源穩壓，兩者分工互補，也代表矽電容需求會隨著先進封裝滲透率一起往上墊高。

DRAM技術轉型新方向

這波供需失衡的背後，正為台灣晶片廠帶來全新機遇。事實上，傳統DRAM製程其實可以延伸去做矽電容，這會讓台灣記憶體廠有新的轉型方向，也能帶來新的獲利成長機會。這主要是因為矽電容依賴的深溝槽或多層堆疊技術，與傳統DRAM記憶體的製造邏輯幾乎一致。在全球矽電容需求大增並面臨高達57%巨大供給缺口的當下，台灣記憶體廠憑藉現成的產線與製程經驗，正順理成章切入代工或開發內建矽電容的先進封裝架構。

台廠三巨頭搶攻市佔

口袋證券分析，面對這波缺貨潮，台灣三家指標廠各自走出了不同的路。力積電走的是直球對決路線，根據市場資訊，力積電的矽電容產品已通過英特爾嚴格認證，成功打入其EMIB先進封裝供應鏈，並於今年第二季全面量產出貨，目前產能全線滿載，公司規劃持續擴產，目標是到2027年下半年，矽電容月產能衝上1萬片晶圓。

華邦電則選擇結盟路線，扮演幕後供應商。根據市場消息，三星電機近期斬獲北美大型科技公司高達10億美元的矽電容供應長約，合約期間為2027年到2028年，外資評估三星電機很可能會把部分關鍵晶圓代工與技術合作導向華邦電。華邦電之所以被點名，關鍵在於它長期耕耘利基型DRAM與NOR Flash累積下來的深溝槽電容製程經驗，加上中科與高雄廠的產能後盾，能提供穩定且具彈性的客製化代工能量。

此外，市場常並列討論的愛普，做法跟前兩者都不一樣。愛普不是幫別人代工，而是自己開發「S-SiCap」客製化矽電容整合方案，把電容功能直接做進晶圓中介層或嵌入式基板裡，訴求超高電容密度，鎖定的同樣是先進封裝內部供電這塊市場。

（封面示意圖／AI生成）