12吋光罩來了！台積電攜手ASML 打造晶片終極神兵

晶圓代工龍頭台積電與微影設備巨擘ASML宣布發起產業合作，推動極紫外光（EUV）光罩由現行6吋邁向12吋大尺寸轉型，預計2031年成立試產線、2033年正式投入先進製程量產，全力鎖定AI晶片爆炸性需求！

大尺寸光罩技術革命

晶圓代工龍頭台積電與半導體設備巨擘艾司摩爾在SPIE BACUS年度會議前夕聯合宣布，將發起一項跨產業合作倡議，引領半導體產業過渡至大尺寸高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）光罩技術。

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高數值孔徑極紫外光微影技術早期量產仍將沿用現行的6吋光罩。然而，改用尺寸更大的12吋光罩後，將能大幅提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，並一舉消除光罩拼接的限制，讓先進晶片製造商能完整發揮High NA EUV技術的優勢，使未來世代的頂尖晶片更具成本效益。

兩大巨頭擘劃產業願景

根據ASML發布的新聞稿，ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「我們預期隨著元件微縮技術路線圖演進，High NA EUV的採用率將逐步提升。初期將使用現行6吋光罩，隨後獲得12吋光罩的進一步支援，進而實現更高的曝光機生產力，滿足市場對更小、更快及更節能晶片的需求。」他同時對半導體製造商、光罩供應商與夥伴的高度支持表示欣慰。

台積電董事長暨總裁魏哲家博士也在聲明中指出：「我們始終相信，當產業攜手解決複雜問題時，能夠解鎖單一企業無法獨自實現的可能性。透過凝聚產業價值鏈各方的專業力量，我們希望藉由持續創新降低技術門檻，並讓大規模的先進解決方案觸手可及，持續提供前沿技術所帶來的效益。」

藍圖規劃與AI需求驅動

台積電規劃自2030年起，將ASML的High NA EUV技術投入先進製程的量產。隨著技術節點推進，受AI應用帶動的晶體管架構複雜化影響，台積電預估需要使用High NA EUV曝光的層數將持續攀升。

這項跨產業合作目標在於2031年建立12吋光罩試產線，並於2033年完成微影系統與整體生態系的全面就緒，正式進入先進製程量產階段。該活動也吸引了眾多生態系夥伴與關鍵供應商參與，並表達對此轉型的強烈意願。

（封面示意圖／AI生成）