個股：聯電與旗下創投以增資換股，取得頎邦(6147)9.09%股權，成為最大股東

晶圓代工雙雄之一的聯電(2303)上週五宣布以增資換股方式，與旗下子公司宏誠創投將共同持有頎邦(6147)約9.09%股權，頎邦則將持有聯電約0.62%股權建立策略合作關係；值得注意的是，透過此交易，長華所持有的頎邦股權將被稀釋一成，而聯電與旗下創投成為頎邦第一大股東。

聯電以及旗下百分百持股的宏誠創投，與頎邦董事會3日分別通過股份交換案，三方同意依公司法第156條之3之規定進行股份交換，由頎邦增資發行普通股新股67,152,322股作為對價，以受讓聯電增資發行之普通股新股61,107,841股及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股16,078,737股。換股比例為聯電每1股換發頎邦0.87股。

預計換股交易完成後，聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權，頎邦則將持有聯電約0.62%股權，預計今年底完成換股；經由此案，聯電與宏誠創投將躍升為頎邦第一大股東，但因為頎邦增資導致股權膨脹一成，以至於長華持有頎邦股權比重將從5.26％被稀釋至4.78％，同時頎邦今年每股淨利將因此影響1.5％。

聯電製程遍及14奈米到0.6微米，至於頎邦主要是聚焦於面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊製作及晶圓級晶片尺寸封測(WLCSP)，並持續投入扇出型系統級封裝(FOSiP)及覆晶系統型封裝(FCSiP)等相關高階先進封裝技術製程開發。此外，聯電為台灣最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商，聯電亦為成功使用28奈米高壓製程於AMOLED面板驅動IC之先行者，並已進階至22奈米。頎邦則是全球驅動IC封測代工領導者，兩家公司將在驅動IC領域密切合作，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進。

再者，聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵(GaN)功率元件與射頻元件製程開發，鎖定市場商機為高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，服務項目包括覆晶凸塊(Bumping)、厚銅重佈線(RDL)及晶圓級晶片尺寸(WLCSP)封測，適用晶圓材質除了矽(Si)外，也已經開始量產於砷化鉀(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發覆晶系統級(FCSiP)、扇出型系統級(FOSiP)等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游，兩家公司將在這些市場區塊通力合作。

至於頎邦董事長吳非艱則表示，頎邦與聯電的換股合作是為了掌握面板驅動IC與TDDI等晶圓產能，並且與聯電合作第三代化合物半導體。他也強調，頎邦不會因為長華干擾而防禦或是做出損害股東權益的事，至於頎邦與長華的訴訟不排除和解。