產業：英特爾宣布向ASML採購首台EXE，2025年進入生產階段

英特爾加快先進製程推進腳步，宣布向ASML購買首台TWINSCAN EXE:5200系統，於導入EUV 0.55 NA（High-NA、高數值孔徑）跨出重要的一步，並預計該款設備可於2025年導入量產。

為推進尖端半導體微影技術發展，ASML和英特爾攜手宣布，其長遠合作的最新階段發展，雙方將於長遠高數值孔徑合作，英特爾已向ASML下訂業界首台TWINSCAN EXE:5200系統的訂單；這是款具備High-NA的極紫外光（EUV）大量生產系統，每小時具備200片以上晶圓產能。

ASML總裁暨技術長Martin van den Brink提到，相較於目前的EUV系統，ASML持續創新拓展EUV路線圖，進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量，提供驅動晶片產業下個10年所需要的良好經濟規模延展性。

英特爾於去年7月Accelarated活動中宣布，其部署首款High-NA技術的計畫，藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系統的首位買家，透過這次宣布的新訂購案，其合作關係將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。

EXE平台為EUV技術的演化步驟，其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系統與之前EUV機器所具備的0.33數值孔徑鏡片相比，提供精確度提升的0.55數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長，決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA為2025年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在2021年的投資者關係日，ASML揭露，High-NA技術有望自2025開始支援生產製造。