產業：ASML攜手imec，強化high-NA EUV合作

全球極紫外光（EUV）微影設備供應商艾司摩爾（ASML），今日宣布攜手比利時微電子研究中心（imec），計畫在開發最先進高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。

ASML提到，該試驗製程的目標是提供一套能在未來支援其創新的原型設計平台，為晶片製造商及終端使用者開發永續的前瞻製造方案，同時攜手設備及材料生態系統來發展尖端圖形化技術的完整製程。

雙方所簽署的合作備忘錄（MoU）包含為imec設於比利時魯汶的試驗製程提供先進微影及量測設備的全套安裝及維運，像是最新型的0.55 NA EUV設備TWINSCAN EXE:5200系統、新型的0.33 NA EUV設備TWINSCAN NXE:3800系統、浸潤式深紫外光（DUV）設備TWINSCAN NXT:2100i、Yieldstar光學量測系統和HMI多光束檢測系統。

為了開發像是新一代AI系統等高性能且節能的晶片，這項具開創性的高數值孔徑技術是必需，該技術還能實現創新的深度技術（deep-tech）解決方案，用來解決當前社會在像是健康照護、營養學、交通／汽車、氣候變遷和永續能源等方面所面臨的一些主要挑戰，尤其為了確保業界在2025年以後能獲取高數值孔徑極紫外光微影技術，並保留歐洲在相關先進製程上的研發能力，挹注重大投資不可或缺。

此次簽署的合作備忘錄為imec和艾司摩爾在高數值孔徑極紫外光技術方面的下一階段緊密合作揭開了序章。第一階段的製程研究正在雙方共同建立的實驗室進行，採用的是世界首台高數值孔徑極紫外光曝光機TWINSCAN EXE:5000系統。imec和艾司摩爾（ASML）與各大晶片製造商、材料和設備生態系統夥伴建立合作，以在量產時最快導入該技術為共同目標並做出準備。下一階段，這些合作項目將在imec位於比利時魯汶的試驗製程中加速推展，採用的是新一代高數值孔徑曝光機TWINSCAN EXE:5200系統。

此次半導體業的兩位要角計畫在微影與量測技術上強化合作，這與歐盟及其成員國的願景及計畫一致，即作為歐洲共同利益重要項目（IPCEI）的晶片法案（Chips Act），因此，imec與艾司摩爾的部分合作內容納入了一項歐洲共同利益重要項目（IPCEI）的提案，目前正由荷蘭政府審查。