產業：搶攻AI資料中心商機，安森美推新一代SiC 650V MOSFET
2024/06/17 14:05 財訊快報／記者張家瑋報導
隨著資料中心為滿足AI運算的龐大處理需求而變得越來越耗電，半導體大廠安森美（onsemi）推出新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET，該解決方案在更小的封裝尺寸下提供更佳能效與熱性能，適時因應AI資料中心快速發展對功耗降低龐大需求商機。
與一般搜尋引擎相比，搭載AI引擎需要消耗超過10倍的電力，預計在未來不到2年的時間，全球資料中心的電力需求將達到約1,000 TWh。從電網到處理器，電力需要經過4次轉換來為AI需求處理提供電能，這可能導致約12%的電力損耗。
安森美表示，通過使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案，資料中心能夠減少約1%的電力損耗。若在全球的資料中心實施這一解決方案，每年可以減少約10 TWh的能源消耗，相當於每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。
安森美EliteSiC 650V MOSFET可提供卓越的開關性能和更低的器件電容，可在資料中心和儲能系統中實現更高的效率。與上一代產品相比，新一代碳化矽 MOSFET的柵極電荷減半，並且將儲存在輸出電容和輸出電荷中的能量均減少44%。與SJ MOSFET相比，在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優越，能顯著降低開關損耗。另外，T10 PowerTrench系列亦符合汽車應用所需的嚴格標準。
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