產業：ASML揭High NA EUV進展，全球4客戶10台裝機上線、Intel首導入量產

ASML於SEMICON Taiwan 2026半導體先進製程科技論壇中提到，High NA EUV在全球已有4家客戶完成裝機的10台High NA EUV投入運作，另有3台系統正在出貨與裝機中，且Intel已導入首個High NA量產邏輯產品，此外，EXE:5200B達135 WPH量產規格，未來將提升到180 WPH以上，至於Focus、Overlay 及Stitching等過去關鍵挑戰已有成熟解決方案，整體來看，ASML已建立超過10年的High NA技術與產品路線圖，支撐未來Logic與DRAM節點發展。

首先在High NA EUV（High Volume Manufacturing）議題上，ASML表示，全球 EXE系統累計曝光晶圓數已突破135萬片，而經認證的EXE:5200B已在驗收測試中達到每小時135片晶圓（WPH）。全球High NA EUV機隊可用率（fleet availability）目前已提升至84%，並朝93%的目標持續改善。ASML將既有NXE平台累積的經驗導入EXE系統，包括改善診斷能力、避免相同問題持續發生，以提升系統穩定性。

此外，也揭露，High NA EUV已進入先進製程實際應用階段，首次應用於高量產邏輯產品，可持續支援未來製程微縮。在2D DRAM微縮方面，High NA EUV的成像能力可支援未來最多5個製程節點的技術延伸。另外，0.55 NA單次曝光可進一步提升製程經濟效益，High NA EUV搭配相關微影技術，可增加採用0.55 NA單次曝光圖形化的製程層數。透過單次曝光取代較複雜的多重電路設計圖影像製程，High NA EUV有助於降低先進製程的複雜度與成本。High NA EUV的單次曝光成像可支援更小線距的持續微縮。

再者，High NA持續改善對焦控制與光場邊緣裕度，EXE進一步提升對焦控制能力，可維持與NXE相當的對焦表現。透過晶片調平演算法、對焦修正及148 mm晶圓夾具設計，預期對焦容許範圍可達30 nm以上。而針對半曝光場的設計需求，High NA EUV可透過175 μm拼接精度區域提升應用彈性。另外，在DRAM應用中，僅特定採用奇數列設計的晶片需要進行拼接。

ASML也認為，High NA帶來新的晶片設計機會，High NA EUV不只是提升微影解析度，也為2D晶片版圖設計帶來新的設計空間，更高的解析能力提升邏輯單元密度，進一步支援邏輯製程微縮，High NA亦可協助優化互連層布局（interconnect routing），有機會降低所需的金屬層總數。

而ASML將持續提升EXE平台的產能表現，從EXE:5200B進一步提升至下一代EXE:5400E，包括提升EUV光源效能、提升晶圓搬運效率、導入PEP相關方案，以及降低系統運作中的非必要耗損與低效率環節。ASML的技術路線圖目標是在本十年內（by end of this decade），將驗收測試產能從目前的每小時135片晶圓提升至180片晶圓，相關技術發展包括提升晶圓層級的EUV光源功率，以及加快晶圓與光罩的搬運速度。

ASML已建立0.55 NA EUV技術路線圖，以長期穩定的平台架構支援未來製程發展，且High NA EUV平台預計可提供超過10年的穩定系統架構，並持續透過生產力提升延伸系統能力，公司更總結，將結合更高解析度、單次曝光成像、持續提升的生產力與設計彈性，讓High NA EUV持續支援先進半導體製造的長期微縮需求。