英特爾致力3關鍵領域創新 力拚突破摩爾定律

最近國際半導體大廠英特爾（Intel）頻傳新消息，經濟部長王美花先是證實英特爾執行長基辛格（Patrick Gelsinger）將訪台拜會台積電高層；而本週由電機電子工程師學會（IEEE）舉行的International Electron Devices Meeting（IEDM）2021上，英特爾釋出混合鍵合（hybrid bonding）技術，實現在新電源和記憶體技術重的大突破，以及未來某個時刻將徹底顛覆運算的新物理概念，盡可能的延續摩爾定律。

英特爾資深研究員兼元件研究經理Robert Chau表示，在英特爾心中，推進摩爾定律所需的研究和創新從未停止，我們的元件研究小組在IEDM 2021上分享的關鍵技術突破，帶來革命性的工藝和封裝技術，以滿足我們行業和社會對強大計算的永不滿足的需求。這是我們最優秀的科學家和工程師不懈努力的結果。為了延續摩爾定律，他們將繼續走在創新的最前沿。」

持續創新是摩爾定律的重要基石，英特爾元件研究小組致力在3關鍵領域創新：

1.提供更多電晶體的必要微縮技術

2.提升電源和記憶體的新矽功能

3.探索新物理概念以便革命性地改變世界運算的方式。

藉由元件研究的工作，許多創新已打破先前摩爾定律的障礙，並實際應用於當今產品之中－包含應變矽、Hi-K金屬閘極、FinFET、RibbonFET，以及包含EMIB、Foveros Direct在內的封裝創新。

英特爾釋出的混合鍵合互連設計，可將封裝互連密度提高10倍以上密度改善，並通過堆疊多個 （CMOS）電晶體的方法，將電晶體每平方毫米的安裝面積提高 30% 至 50%。

▼混合鍵合設計將密度提高10倍以上（圖／翻攝自Intel官網）

英特爾表示，前瞻性研究為摩爾定律鋪設進入比1奈米更小的埃（angstrom）時代鋪平道路，該研究展示瞭如何使用只有幾個原子厚的新型材料，製造克服傳統矽通道限制的晶體管，從而使每個芯片面積增加數百萬個晶體管，為下個十年提供更為強大的運算。

（封面圖/翻攝自Intel官網）

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