中國EUV技術大突破 陸媒曝「ASML沉默原因」：不敢相信

荷蘭光刻設備巨頭艾司摩爾（ASML）生產的微影設備，獨霸晶片先進製程市場，該公司執行長Christophe Fouquet還曾直言，儘管中國在半導體領域取得一定進展，但與英特爾、台積電和三星相比在晶片製造能力上仍落後10~15年，但日前中國哈爾濱工業大學宣布突破13.5奈米極紫外光源技術，消息不僅被視為重大突破，更被陸媒形容成是突破西方的技術封鎖，對此艾司摩爾則是選擇保持沉默。

根據《新浪財經》報導，哈爾濱工業大學日前宣布，由樊繼壯教授帶領的科研團隊採用放電等離子體技術，成功製備出13.5奈米的極紫外光源技術，意味著國產EUV光刻機技術取得重大突破，但消息釋出一段時間以來，包含ASML與台積電等企業以及美國政府始終保持沉默。

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報導提到，新加坡的APS資產管理公司創始人兼聯席首席資訊長黃國輝 （Wong Kok Hoi）曾在訪談中表態，他看好中芯國際這家公司，並且認為中芯將利用本土優勢在全球市場與台積電競爭，市值上也有望追上台積電。據了解，台積電目前市值大約1兆美元，中芯國際則落在500億美元左右。

報導指出，王國輝突然表態看好中芯國際，主要是認為中國國內市場龐大且具備一定的「隔離效應」，欠缺的就是一台國產EUV光刻機，一旦有公司成功研發出EUV光刻設備，屆時與其他企業的晶片戰就會結束，背後看到的就是國產EUV光刻機技術的潛力。

根據報導介紹，哈工大這次突破的光源技術波長是13.5奈米，美國Cymer公司使用的是傳統的LPP技術，而哈工大使用是的則是DPP技術，也就是放電等離子體極紫外光刻光源，與荷蘭採用透鏡技術獲得極紫光不同，哈工大是通過粒子加速輻射取得極紫光，這一創新方法展示中國在光刻機領域的重大突破，這項技術一旦成熟並且滿足商用量產需求，將直接滿足國內市場對EUV光刻光源的需求。

報導強調，光刻機的光源佔據7成以上的重要性，按理說如此重大的技術突破，影響最大的會是ASML與台積電，但兩者都表現得非常沉默，這背後一半是焦慮，另一半則是不相信中國能自主打造出EUV光刻機。

不過陸媒也坦言，哈工大EUV光源要從技術驗證到真正量產，仍然有不少問題需要解決，比如光源穩定性提升、系統優化、商用化適配等，此外與光刻機配合的還有晶片製造工藝，這方面台積電可謂領先全球，每一代技術都在提前佈局而且不怕砸錢，2023年在研發上就投入高達360億美元，目前已實現3奈米量產，更先進的2奈米已經在研發，「因此ASML的護城河很高，要短時間顛覆它的技術與設備，並不是那麼容易。」

（封面示意圖／翻攝自新浪財經）