個股：環球晶化合物半導體報喜，8吋SiC進度超乎預期，並獲車電IDM客戶青睞

全球矽晶圓龍頭環球晶圓(6488)，今日宣布，搶進化合物半導體報喜，在碳化矽（SiC）領域，8吋碳化矽進度超乎預期，並獲得車電IDM客戶青睞，明年進入客戶端大舉驗證階段，後年營收效益可期。

環球晶圓董事長徐秀蘭直言，公司在碳化矽進度比預期的好，而且順利，明年開始客戶會大規模的進入驗證，公司可以在明年第四季開始小量出貨，產出量持續拉升，2025年更將快速成長，尤其8吋碳化矽進度超乎預期，2026年8吋比重將超越6吋。

由財團法人光電科技工業協進會主辦的「第三十一屆國際光電大展」登場，環球晶圓參展，本次環球晶圓聚焦於8吋碳化矽（SiC）晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化鎵（GaN）磊晶領域等具高附加價值的利基產品。

環球晶圓表示，碳化矽晶體因需於極高溫的密閉環境下生長，長晶爐的熱場設計及坩堝材質等因素增加了設備和操作的複雜性。環球晶圓自主設計開發碳化矽專用的長晶爐，在實現更高的材料品質控制的同時進一步降低長晶成本。環球晶圓克服碳化矽長晶的技術困難，將碳化矽（SiC）長晶成功推進至8吋。

此外，碳化矽高硬度與高脆性使得後續晶圓加工過程非常困難。奠基於晶圓加工的先進技術，環球晶圓以更高的製程精度與更有效的晶圓處理方法成功實現碳化矽晶圓的超薄加工，於展場推出6吋90µm 及8吋350µm碳化矽超薄拋光晶圓。超薄碳化矽晶圓在輕量化、散熱性能、熱傳導、高頻率操作、元件微型化和材料成本等方面具有優勢，是高性能半導體元件的理想選擇。環球晶圓的碳化矽晶圓包含4～6吋半絕緣晶片與6～8吋導電型碳化矽晶片，全方位產品可以滿足客戶多樣化需求，多領域的應用擴展。

氮化鎵異質磊晶存在諸多技術困難，例如晶格不匹配、應力和缺陷等問題，環球晶圓也透露，自家專注研發，成功推出全系列氮化鎵異質磊晶產品，包括矽基板、碳化矽基板和藍寶石基板等。