個股：華邦電(2344)推2Gb+2Gb NAND+LPDDR4x之MCP封裝產品，搶5G終端設備商機

利基性記憶體製造大廠華邦電(2344)宣布推出新型1.8V 2Gb NAND Flash和2Gb LPDDR4x動態隨機存取記憶體8.0mm x 9.5mmx 0.8mm的多晶片封裝產品(以下簡稱MCP)，積極搶攻5G終端設備商機。

華邦電介紹，新的W71NW20KK1KW產品將可靠的SLC NAND Flash以及高速、低功耗的LPDDR4x動態隨機存取記憶體集成在一個單一封裝中，完整提供使用於辦公室與家庭的5G終端設備相關應用所需的存儲容量。

一般而言，行動式5G終端設備通常需要更大的記憶體，2Gb NAND / 2Gb DRAM的記憶體容量非常適合在固定式5G終端設備中運行。透過MCP封裝組合，華邦電的W71NW20KK1KW使5G終端設備的製造商能用恰如其分的容量和較低的生產成本滿足系統需求。

過往，在通往高速寬頻網路的最後一哩路(last mile)多數採用有線連結的方式。預期採用W71NW20KK1KW達成成本最佳化的新一代5G終端設備將有助於消費者加速其採用5G以替代固定線路銅纜或光纖xDSL。

華邦電快閃記憶體產品企劃經理黃信偉表示：「在家庭和辦公室建置固定式5G終端設備將是下一階段行動網路市場的成長契機，而華邦電的2Gb + 2Gb MCP是最理想的選擇。」

「華邦電是目前全球唯一一家擁有晶圓廠並同時生產NAND和LPDDR4x的MCP製造商。」W71NW20KK1KW是一款149球BGA封裝的MCP，由2Gb SLC NAND Flash和2GbLPDDR4x動態隨機存取記憶體組成。其中的SLC NAND Flash僅需4位元糾錯碼(ECC)引擎即可提供出色的耐久度和資料正確性，然而該裝置2K Byte + 128 Byte的頁面容量亦能支援到8位元糾錯碼(ECC)。

W71NW20KK1KW的NAND Flash提供具有8位元匯流排，由64頁組成一個區塊，最快頁面載入時間為25μs，一般頁面寫入時間為250μs。LPDDR4x動態隨機存取記憶體晶片可支援高達1866MHz的工作時脈，滿足LVSTL_11介面需求，並具有8個內部分區，可用於並行操作。它提供高達4267MT/ s的數據速率，支援5G通訊所需的快速資料傳輸速率。