記憶體業務虧轉盈 三星發200%「績效獎金」
(2024/12/25 10:38)無懼晶片價格下跌疑慮 東芝將量產96層3D NAND快閃晶片
2018/09/19 21:59 鉅亨網編譯羅昀玫
日本東芝記憶體 (6502-JP) 與合作夥伴威騰電子 (WDC-US) 為全新的半導體設施 Fab 6 (6 號晶圓廠) 與記憶體研發中心舉行開幕儀式;東芝記憶體總裁 Yasuo Naruke 無懼晶片價格下跌疑慮,表示將於 9 月量產 96 層 3D NAND 快閃晶片。
Naruke 表示,由於功能強大的智慧型手機和高效能資料中心的興起,我們正在透過不斷增加資料儲存量,以滿足長期需求。
東芝記憶體是全球第二大 NAND 快閃記憶體晶片的生產商,全新開幕的 6 號晶圓廠位於日本三重縣四日市,是 96 層 3D NAND 快閃記憶體的專用生產廠,以滿足從消費者、行動應用到雲端資料中心等各種終端市場商機,藉以提高行業技術領先地位。
根據研究公司 TrendForce 的數據,供應過剩將導致 NAND Flash 合約價格受壓,導致 4-6 月季度平均價格走跌 15-20%。東芝與威騰電子 4-6 月季度營收佔全球 NAND 市占 33.8%,遜於三星電子的 36.4%。
儘管如此,東芝記憶體與威騰電子於 9 月擴大新產線的 3D NAND 晶片產量,並在日本東北部岩手縣的北上市建立新的記憶體晶片工廠。
Yasuo Naruke 還表示,短期內價格會波動以以反映供需平衡,該公司計畫將在 2-3 年內「盡快」上市,已經開始首次公開募股 (IPO) 的初步工作。
貿易戰影響
不斷升級的美國和中國之間的貿易摩擦也增添快閃記體體市場的不確定性。美國計劃自 9 月 24 起對價值約 2000 億美元的中國進口產品徵收 10% 的關稅,其中包括一些電子元件。
Naruke 表示,最新一輪關稅將可能影響使用我們記憶體晶片的各類產品。
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