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(2024/12/10 10:09)
英飛凌重大突破！推「最薄矽功率晶圓」比頭髮還細
2024/10/30 10:04 東森財經新聞
德國半導體大廠英飛凌（Infineon）宣佈，該公司在半導體領域取得新的里程碑，製造出最薄的矽功率晶圓，厚度僅為20微米，直徑為300毫米，該晶圓厚度僅人類頭髮的四分之一，是目前最先進的40-60微米矽片厚度的一半。
英飛凌科技執行長哈奈貝克（Jochen Hanebeck）表示：「英飛凌在超薄晶圓技術方面的突破標誌著節能電源解決方案向前邁出了重要一步，並幫助我們充分利用全球脫碳和數位化趨勢的潛力。憑藉這項技術傑作，我們掌握了所有三種相關半導體材料：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），從而鞏固了我們作為行業創新領導者的地位。」
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英飛凌指出，這項創新將顯著有助於提高資料中心以及消費性電子、馬達控制和運算應用的電源轉換解決方案的能源效率、功率密度和可靠性。與基於傳統矽晶圓的解決方案相比，晶圓厚度減半可將晶圓的基板電阻降低50%，從而將電力系統中的功耗降低15%以上。
對於高階AI伺服器應用來說，更高的電流等級推動了不斷增長的能源需求，這在功率轉換中尤其重要：這裡的電壓必須從230 V降低到低於1.8 V的處理器電壓。晶圓技術提升垂直供電設計，基於垂直Trench MOSFET技術，可與AI晶片處理器緊密連接，進而降低功耗，提升整體效率。
該技術已通過資格認證並應用於英飛凌的整合智慧功率級（DC-DC轉換器），並已交付給首批客戶，它突顯了該公司作為20微米晶圓技術相關強大專利組合的持有者在半導體製造領域的創新領先地位。
隨著目前超薄晶圓技術的不斷發展，英飛凌預計在未來3~4年內將取代現有的低壓功率轉換器傳統晶圓技術，這項突破鞏固了英飛凌在市場上的獨特地位，擁有最廣泛的產品和技術組合，包括基於矽、碳化矽和氮化鎵的裝置，這些元件是脫碳和數位化的關鍵因素。
（封面圖／翻攝自英飛凌官網）
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