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(2025/09/16 14:06)
產業:美國強化管制大陸記憶體,陸資廠擴產和客戶均將受限,有助於產業健康化
美國商務部強化對中國半導體產業的管制,尤其將管制範疇自邏輯延伸到記憶體,包括DRAM的18奈米或更先進製程、NAND Flash晶片的128層或更高層數產品三個部分,而大陸的外資企業也得逐案審查並取得一年特許。值得注意的是,美國的強化管制措施,將重創大陸的記憶體產業,除了間接控管擴產將有助於產業的供需平衡外,也將讓陸資記憶體廠的客戶群大大受限。
市調單位TrendForce指出,根據美國商務所公布的新規範,在DRAM部分將限制在18奈米製程(含)以下設備需要商務部審查後方能進口,此舉將會大幅限制或遞延中國DRAM未來持續發展。
但在大陸有生產基地的非陸系記憶體廠則可逐案審查,向美國申請,取得一年特許,南韓SK海力士與三星電子(Samsung),則已暫時豁免美國的出口管制措施,並獲准在中國繼續正常生產活動1年。而SK海力士位於無錫的DRAM生產基地C2廠,占全世界總DRAM產能約13%,其製程轉進已演進到 1Y奈米及更先進製程。
長鑫儲存CXMT,坐擁中國境內最大中系記憶體市占,自2022年的第二季起,致力於19奈米製程跨入17奈米製程;雖然該禁令發布前已加速購買未來所需機台,但數量上仍顯不足。加上CXMT仍持續興建新廠房,其中含合肥Phase2以及與中芯國際SMIC商談中的SMBC(中芯京城),後續都會面臨設備取得的難題。
且值得注意的是,設備圈已經陸續傳出,大陸廠商已經下訂但未出貨的受管制機台,將退款不予出貨。TrendForce同時觀察到,在地緣政治的考量下,雖然當下市場需求低迷,嚴重供需失衡,DRAM市場中的三大原廠仍規劃在未來10年內在母國增建產能,持續降低在中國生產的比重。
在NAND Flash的部分,TrendForce指出,未來進口中國的NAND Flash生產設備將受更一步限制,尤其針對128層(含)以上設備要求事先核准才准進入,預估該法案將大幅衝擊中國 長江存儲YMTC長期廠區升級計畫,以及三星西安廠、Solidigm在大連的製程轉進規劃。
TrendForce 指出,此禁令將限制YMTC進一步擴大客戶版圖,現階段YMTC已積極送驗SSD產品,希望於2023年成功打入非中國廠商客戶供應鏈。未來隨著禁令影響顯現,美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施,將使得後續非中國客戶對於YMTC的使用與意願大幅限縮。
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