中國彎道超車打造EUV？ ASML執行長不忍了：落後至少8世代

針對近日中國傳出成功研發國產EUV（極紫外光）光刻機、被形容為半導體界「中國版曼哈頓計畫」的消息，全球半導體設備龍頭ASML執行長克里斯托夫・富凱（Christophe Fouquet）罕見正面回應，直言相關說法缺乏事實基礎，並強調中國在EUV技術上「已經落後至少8個世代」，短期內不可能出現顛覆性突破。

富凱近日接受荷蘭《電訊報》（De Telegraaf）專訪指出，中國自8年前起即無法取得EUV設備的存取權，依照半導體製程每一代約1年至1年半的演進速度來看，這段空窗期意味著技術世代已被拉開明顯差距。他直言：「我們看不到任何證據顯示，中國已接近EUV的技術水準。」

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他坦承，中國在國家資本大量投入下，於成熟製程與主流晶片領域確實取得一定成果，並逐漸對全球半導體產業結構產生影響，但這與EUV所代表的尖端曝光技術仍存在巨大鴻溝。EUV不僅牽涉到極端精密的光學系統、材料科學與供應鏈整合，更是數十年累積的成果，並非單靠資金就能快速複製。

對於外界提出「技術封鎖恐迫使中國加速自建完整體系」的看法，富凱並未完全否定，但他強調，EUV的難度不在同一個層級。「這不是3年的問題，而更可能是10年的長期挑戰。」截至目前，ASML內部並未掌握任何能證明中國已接近EUV實用化的資訊。

此外，富凱也證實，ASML持續在高層級與各國政府及監管機構保持溝通，但公司角色並非針對特定國家，而是向政策制定者說明EUV技術的高度複雜性與開發所需的時間成本。他強調，EUV並非外界想像中可快速「彎道超車」的技術，相關討論應回歸技術現實與長期發展脈絡。

（封面圖／翻攝《ASML》粉專）