瘋牛行情還沒完！ 花旗看美光「目標價翻倍」DRAM狂飆200%

花旗將美光目標價由425美元狂翻一倍至840美元。受惠三星引領的漲價潮，DRAM報價預計Q2跳升40%，伴隨HBM產能緊繃與AI強勁需求，分析師看好這波記憶體超級循環將一路延續至2027年，預測2026年報價將出現翻倍漲勢。

報價狂飆帶動美光展望

根據外媒報導，花旗分析師團隊在最新報告中將美光科技的目標價從425美元大幅調升至840美元，並維持「買入」評級。分析師指出：「我們將美光的目標價翻倍，主要是相信繼競爭對手三星在第一季調漲報價100%後，美光將在第二季跟進調漲DRAM價格約40%。」花旗預期這波DRAM的上行週期將持續到2027年，且明年HBM（高頻寬記憶體）的定價預計會進一步走高。

供需失衡推升平均售價

今年的DRAM價格調漲，主要集中在商品化或非HBM的DRAM供應失衡。花旗預計2026年DRAM的平均銷售價將比前一年增長200%，而NAND的平均售價也將成長186%。雖然隨著Applied Materials等設備商的銷售展望看好，2026年底DRAM位元供應增長預計達30%，但若要滿足2027年的AI需求，市場仍需要額外的新晶圓產能。

HBM產能受限限制供給

目前全球主要記憶體製造商如SK海力士、三星與美光在HBM領域競爭激烈，而SK海力士更是Nvidia主要的HBM晶片供應商。花旗分析師表示，HBM供應維持緊繃，目前製造商並無動力大幅轉產或增加產能。這是因為HBM與傳統商品市場之間存在獲利差異，且存在「3比4的晶圓轉換率」損耗。

高昂成本引發下游調整

由於HBM產能受限，花旗預計2027年價格將續揚，廠商也會謹慎增產以避免AI數據中心減少HBM用量。分析師觀察到下游廠商已有應對動作，並指出：「思科上週已針對包括無線產品在內的20多個項目，將其DRAM含量削減了50%，以應對強勁的價格走勢。」這顯示出強勁的定價策略已迫使部分硬體廠商調整產品規格。

（封面示意圖／AI生成）