TrendForce最新報告：DRAM、NAND市況將分道揚鑣

TrendForce最新報告指出，2027年DRAM受惠HBM與AI伺服器需求帶動，供給仍將吃緊、價格續揚；反觀NAND Flash隨新產能陸續開出，加上消費性需求疲弱，下半年供需可望轉趨寬鬆，價格壓力升高。

DRAM供給跟不上需求暴增

根據TrendForce最新研究報告指出，各大DRAM業者雖然已針對AI基礎建設帶來的期需求展開擴產，並在2026年透過現有廠房擴產、加速製程轉移及降低產品轉換頻率來提升位元產出，但由於新廠興建與設備安裝需時，2027年新增產能多需等到下半年才能陸續開出，真正顯著的產出貢獻需至2028年才會展現。此外，HBM的晶圓消耗量遠高於傳統DRAM，導致晶圓投片量增加卻無法等比轉化為位元產出，這些因素將限制2027年整體DRAM位元供給增幅，使市場供給持續緊繃。

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AI伺服器拉貨力道持續

在需求端部分，TrendForce分析，北美雲端服務業者持續擴大資本支出，加上Intel與AMD新一代伺服器平台加速出貨，以及Agentic AI迎來商業化，將全力推升伺服器採購需求。TrendForce預測，2027年全球伺服器出貨量年成長率將超越2026年所錄得的17%。同時，單台AI伺服器搭載的HBM容量增加，加上SOCAMM等新記憶體標準的採用，顯著拉高單機記憶體搭載量，為2027年DRAM位元需求帶來強勁支撐。

消費電子疲軟與買方資金壓力

相較於伺服器市場的熱絡，智慧型手機與筆記型電腦等消費性電子產品需求持續承受壓力。零組件成本上升已逐步轉嫁至終端零售價，打壓消費者換機意願，導致2027年出貨量面臨連續衰退。TrendForce預估2026年DRAM供需缺口率約為-1%至-2%，且2027年需求成長將繼續超越供給擴張，供需缺口恐進一步擴大。然而TrendForce也指出，CSP資本支出在2026年已達歷史高點，部分業者甚至出現負自由現金流；若2027年記憶體價格持續處於高位，將佔據基礎建設支出更大比重，是否會反過頭影響CSP的投資計畫與採購力道，將是市場後續需密切觀察的關鍵變數。

NAND Flash產能釋放供需轉鬆

在NAND Flash市場方面，TrendForce表示，供應商在2026年主要依賴製程技術轉移來增加產出，並優先生產企業級SSD以彌補消費市場較差的獲利。展望2027年，隨著高層數NAND產品加速升級與新廠產能逐步開出，位元供給成長動能將顯著高於2026年。儘管企業級儲存設備仍為主要需求引擎，其中QLC SSD將佔據NAND增量需求的最高比重，但終端售價居高不下仍持續抑制消費端購買力。TrendForce預估NAND Flash市場將在2027年迎來結構性轉變，供需缺口率將由負轉正，市場將從緊繃過渡至更為平衡的狀態；若Agentic AI應用迎來突破並大幅增加對高速SSD的需求，將有助於吸收增量供給，帶動市場進一步趨向平衡。

（封面示意圖/AI生成）