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長鑫DRAM傳大突破！記憶體血流成河 南亞科、華邦電重挫逾7%！
東森財經新聞
中國記憶體大廠長鑫存儲宣布新一代DRAM架構取得重大突破，計畫年底前推出新款伺服器記憶體產品，消息一出震撼全球市場，不僅美股記憶體族群應聲走弱，台股記憶體與儲存類股今（13）日也全面慘跌，成為盤面最大重災區。
中國長鑫DRAM傳大突破
根據《南華早報》報導，長鑫存儲總裁曹侃宇週末在上海一場產業活動上宣布，公司預計於今年底前推出結合「4F平方」架構與混合鍵合等先進技術的新一代伺服器記憶體產品。目前業界主流仍為6F平方架構，而4F平方設計能將每個記憶體儲存單元面積進一步縮小，使同面積內的儲存密度大幅提升30%至50%。
長鑫存儲指出，這項技術的核心在於自主研發的垂直環繞閘極（Vertical Surrounding Gate，VSG）電晶體。透過垂直閘極架構，不僅能改善隨著製程微縮帶來的漏電與短溝道效應問題，更能大幅縮小單元面積，象徵DRAM技術正從傳統二維微縮逐步邁向三維集成的新階段。
記憶體族群全面重挫
受此消息衝擊，美國記憶體大廠美光等概念股日前率先走弱，韓股三星、海力士股價也出現7%以上的重挫。今日台股開盤後記憶體族群也全面臉綠，盤面上逾十多檔個股慘跌。指標股南亞科與華邦電跌幅均超過7%，旺宏跌幅達到8%，力積電與群聯跌幅也超過5%。
（封面示意圖／AI生成）
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