經濟成長動能拉警報? 7月電力景氣指數 只剩半導體挑大樑
(2025/08/21 17:48)SK海力士宣布:明年量產1Znm製程的16GB DDR4 DRAM
2019/10/21 16:41 鉅亨網編譯凌郁涵
南韓半導體大廠 SK 海力士 (000660-KR) 週一 (21 日) 宣布,推出搭載 10 奈米級製程 (1Znm) 的 16GB DDR4 DRAM,每個晶圓的總儲存容量是現有 DRAM 中最大的,海力士預計於明年開始量產。
與上一代的 1Ynm 相比,SK 海力士的 1Znm 製程讓產量得以提高了約 27%,並且也不需要非常昂貴的極紫外光 (EUV) 光刻,在成本上帶來了更高的競爭優勢,而新型的 1Znm DRAM 還支持高達 3200 Mbps 的數據傳輸速率,這是 DDR4 中最快的數據處理速度,與使用 1Ynm 8GB 的 DRAM 模組相比,這個新產品大大提升了效率,成功地將功耗降低了約 40%。
此外,SK 海力士還採用了上一代工藝製程中未使用的新材料,從而最大限度地提高了 1Znm 產品的電容。電容是電容器能儲蓄電荷的能力,是 DRAM 運作的關鍵要素,同時,該公司也引入了新設計以提高穩定性。
SK 海力士 DRAM 開發與業務負責人 Lee Jung-hoon 表示:「1Znm DDR4 DRAM 具有業界最高的密度、速率和功效,成為滿足尋求高性能 / 高密度 DRAM 的客戶不斷變化的需求的最佳產品。」
Lee Jung-hoon 說道:「SK 海力士計畫於明年將開始量產並交貨,以積極響應市場需求。」
另一方面,SK 海力士也計劃將 1Znm 工藝製程擴展到其他各項應用,例如為 5G 或 AI 手機鋪路的 LPDDR5 行動 DRAM,以及高頻寬記憶體 DRAM HBM3。
【往下看更多】
►母女雙雙罹血癌!元凶竟是「家中紙箱」 營養師:藏一級致癌物
►蘇打綠控經紀人「侵吞4.7億」 青峰萌退意曝失聲原因
►不滿吵到他玩手機!師逼2男童下跪 伸港車禍倖存小弟也在內
【熱門排行榜】
►總預算案拍板「明年軍公教不調薪」卓榮泰:會另提釋憲
►台股放量狂殺600點!法人曝後市:漲多是最大利空
►習近平下令「2027年前具奪台能力」 美軍司令:中國正加強核武
推薦閱讀