AI記憶體狂歡近拐點？ 大摩示警：價格Q4恐見頂

AI浪潮推升記憶體產業景氣，但摩根士丹利（Morgan Stanley）最新報告示警，本輪AI驅動的記憶體市場狂歡可能正接近重要拐點，記憶體合約價格預計在2026年第4季見頂，市場對記憶體廠商獲利持續上修的動能也開始減弱。不過，大摩認為這次產業週期更可能是「拉長」而非崩潰，AI資本支出與高頻寬記憶體（HBM）供給吃緊，仍將提供產業重要支撐。

根據《華爾街見聞》報導，摩根士丹利亞洲及歐洲科技研究主管Shawn Kim在7月21日發布報告指出，市場對記憶體製造商的盈利上調率已從高峰92%降至77%，顯示獲利上修週期逐漸失去動能。受到市場預期轉趨保守影響，SK海力士與三星電子估值也從近期高點回落，目前SK海力士市淨率約2.5倍、三星約1.7倍，雖然仍高於長期平均，但投資人已開始反映未來獲利增速放緩的可能性。

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大摩指出，第二季DRAM與NAND庫存同步回升，主要受到記憶體模組廠商帶動。在記憶體價格年增幅逐步下滑的背景下，庫存增加也讓市場更加關注後續是否出現去庫存壓力。當價格、庫存與獲利預期三大訊號同時轉弱，市場交易焦點便可能從「獲利還能成長多少」，轉向「高成長還能維持多久」。

不過，AI基礎建設投資仍是支撐記憶體產業景氣的重要力量。大摩認為，超大規模雲端業者的資本支出走向，以及AI模型訓練與推理需求，將是觀察後續記憶體需求的關鍵。AI需求強勁並不代表記憶體價格能無限上漲，真正關鍵仍在於雲端業者是否持續將資金投入算力、網路及資料中心。

此外，記憶體市場正加速分化。三星、SK海力士與美光科技持續將更多產能轉向HBM，讓一般商品型DRAM面臨供給增加壓力；但HBM受到先進製程、封裝及頻寬等技術限制，供應仍相對緊張。大摩因此認為，AI記憶體週期可能從單純的景氣循環，逐步走向「商品DRAM降溫、高階HBM維持強勢」的雙軌格局，產業未必崩盤，但市場勢必迎來重新定價。

（封面示意圖／翻攝Pexels）