不用甩美國制裁禁令了？ 傳中國將試產EUV設備

面對美國技術封鎖禁令，中國近年雖然在半導體領域取得一定進展，但晶片製造能力仍與英特爾、台積電和三星有差距，還曾被艾司摩爾（ASML）執行長Christophe Fouquet評價為落後10~15年，不過根據外媒wccftech的報導，中國自主研發的EUV設備已取得重大突破，將於2025年第三季進入試生產，而且採用更簡單、高效的設計方法，能讓中芯國際、華為受益匪淺。

根據報導說法，EUV設備的使用很大程度上影響中芯國際的進步，儘管中芯國際據稱已經成功生產5奈米晶圓，但大規模生產仍面臨成本上漲以及低良率的困擾，這些挫折同樣對始終無法跨越7奈米門檻的華為產生負面影響。

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報導指出，由於美國貿易制裁禁止ASML向任何中國實體提供最先進的EUV設備，中國若想突破技術限制，唯一可能的途徑就是自主研發，根據最新報告顯示，中國專家們已經制定出目標，並且白紙黑字地攤開來，預計將於2025年第三季開始試生產。

報導提到，據說這些客製化的EUV設備，採用雷射誘導放電等離子體（LDP），這與ASML的雷射產生等離子體（LPP）所有不同，預期中國本土EUV設備的實際量產可能從2026年開始，並且導入更簡單的設計，同時也更節能。

值得一提的是，根據X帳戶@zephyr_z9和@Ma_WuKong分享的圖片顯示，華為東莞工廠正在測新系統，先前亦有報導提到，哈爾濱省創新研究團隊研發出放電等離子體極紫外光刻光源，倘若中國自主研發的EUV設備全面生產，更可標誌著突成功破美國的技術封鎖。

報導提到，這些客製化的EUV設備，採用雷射誘導放電等離子體（LDP），這與ASML的雷射產生等離子體（LPP）不同，前者可產生波長13.5奈米的EUV光，滿足光刻市場的需求，目前正在華為工廠試用的新系統就是採用LDP來產生13.5奈米EUV輻射，根據試生產報告，華為工廠正在測試的利用雷射誘導放電等離子體的原型，據稱比艾司摩爾的具有更簡單、更小的設計，同時功耗及製造成本也更低。

報導指出，華為目前僅限於在7奈米製程上開發其麒麟晶片組，僅限於進行細微調整，以使其後續的SoC比前代產品的性能稍強一些，一旦透過本土EUV設備及技術獲得成功，將可縮小與高通和蘋果等公司之間的差距。

（封面示意圖／Unsplash）