三星AI記憶體大突破！ 400層堆疊技術亮相 瞄準高容量市場

韓國晶片大廠三星電子（Samsung Electronics）推出新一代人工智慧（AI）記憶體技術，力圖鞏固其在蓬勃發展AI市場中的晶片製造領先地位。

路透社報導，三星電子選擇在美國加州聖克拉拉（Santa Clara）舉行的「記憶體與儲存未來」（Future of Memory and Storage, FMS）年度盛會上，發表最新AI記憶體V10 Bonding V-NAND（簡稱BV-NAND）晶片原型。這款晶片具有超過400層堆疊結構，並採用新晶圓鍵合技術，以提升儲存密度並增強工作效能。

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隨著AI工作負載已從訓練大型語言模型（LLM），逐步擴展至處理使用者查詢並生成回覆的階段，市場對高容量NAND記憶體的需求持續增加。NAND快閃記憶體主要用於儲存智慧型手機等裝置中的照片、影片及應用程式等資料。

三星表示，BV-NAND的記憶體密度較前一代V9 NAND提高了約58%，同時改善讀取、寫入和輸入／輸出效能，以滿足AI系統對更大容量、更節能儲存設備日益增加的需求。

三星也展示其所稱業界首創zHBM和zNAND-O架構概念模型，勾勒對下一代3D記憶體的發展願景。這類技術透過垂直堆疊記憶體儲存單元，來容納更多資料。

不同於傳統高頻寬記憶體（HBM）與AI處理器並排的配置，三星的zHBM是將記憶體垂直堆疊於AI加速器上方，藉此縮短資料傳輸距離，進而提高頻寬並改善能源效率。

三星表示，其晶圓鍵合技術可讓記憶體密度達到傳統HBM5的10倍以上，將能源效率提高3倍，並將熱阻降低逾一半。

儘管部分投資人擔心，中國智慧型手機需求一旦減弱，記憶體晶片長期需求可能受到影響，但分析師認為，AI市場需求仍異常強勁。

三星上週表示，與客戶簽訂的長期供應協議，未來可能占其記憶體銷售額的60%至70%，凸顯AI需求的韌性。

花旗（Citi）分析師上個月在報告中指出，儘管市場擔心終端需求可能放緩，但DRAM與NAND供應鏈的庫存水準目前仍遠低於歷史平均。

（封面圖／翻攝自Google Maps）