SK海力士砸40億赴美建廠 估2029年量產

韓國晶片大廠SK海力士（SK Hynix）今天表示，2029年第3季將在美國新廠量產次世代HBM4E晶片，同時預期目前記憶體晶片短缺的情況，將持續到2030年底。

路透社報導，SK海力士在美國印第安納州西拉菲葉特（West Lafayette）投入逾40億美元建廠，未來此一位於普渡研究園區（Purdue Research Park）的廠區，將成為美國重要的高頻寬記憶體（HBM）生產基地。

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SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）預期新廠區2028年下半年將開始無塵室作業，最終每年能處理數十萬片晶圓。

此一新廠區代表SK海力士在美國業務的重大擴展，原因是人工智慧投資激增，帶動高頻寬記憶體需求。這家晶片製造商希望讓生產基地更靠近輝達（Nvidia）、微軟（Microsoft）與Alphabet旗下Google等主要客戶。

這座廠區將設有次世代HBM封裝產線，以及一座人工智慧（AI）半導體研發設施。郭魯正表示，SK海力士的目標是在美國打造先進記憶體供應鏈。

HBM是一種特殊記憶體晶片，透過垂直堆疊晶片來提升資料處理速度並降低耗電量，非常適合應用於AI龐大的運算需求。

HBM晶片與傳統記憶體產品不同，它與AI處理器緊密整合，形成較高的技術門檻，也讓供應商掌握更大定價權。記憶體產業經歷近期低迷後，此產品已成為製造商主要的成長動能。

根據市調機構Counterpoint Research，SK海力士今年第1季以營收計算，在全球HBM市占率達58%，遠遠領先三星電子（Samsung Electronics）與美光科技（Micron Technology），後兩者各為21%。

SK海力士主要客戶輝達，預測下一財年營收將增加70%，凸顯AI運算需求不減，也讓投資人對AI支出熱潮持續安心。郭魯正的談話顯示，SK海力士認為記憶體景氣循環，短期內幾乎沒有反轉跡象。

SK海力士預期新廠區與相關供應鏈投資，將在當地創造約7000個直接、間接就業機會，有助於強化半導體供應鏈韌性。

美國政府為協助SK海力士，已於2024年12月依「晶片法案」（CHIPS Act）敲定4億5800萬美元補助，以及上限5億美元貸款。

另外，SK海力士董事會本月稍早核准2031年以前約383億美元的投資計畫，其中韓國晶片製造廠第2階段擴建約占248億美元。

（封面圖／翻攝Unsplash）