三星追不上！傳接受輝達要求晶片將採台積3奈米

在輝達GTC柏林大會登場之前，執行長黃仁勳再喊AI還有很長的路要走，同時，輝達傳出要求三星採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代記憶體HBM製造基底裸片。這項要求可能打破三星長年採用的「一站式全包」生產模式，背後原因可能就跟台積電的3奈米良率超過9成有關！

輝達要求三星採用台積電3奈米製程

輝達執行長黃仁勳表示，未來每家公司都將成為AI公司，人工智慧也將影響各行各業。

在AI產業持續發展、前景仍有不確定性的情況下，黃仁勳持續扮演穩定市場信心的角色。21日即將登場的輝達GTC柏林大會，他將再次登台演講，並帶領鴻海、廣達等台廠持續拓展AI市場，甚至要讓供應鏈「上下一心」。

傳出輝達要求三星、SK海力士及美光，未來生產HBM4E記憶體時，基底裸片統一採用台積電3奈米製程。其中，對三星的影響尤其受到關注，因為這可能打破三星長年採用的一站式全包生產模式。

三星電子會長李在鎔曾指出，三星正為世界各地的產業提供動力，並協助企業發展。不過，這次傳出輝達提出製程要求，即使雙方是投資合作夥伴，三星仍可能需要配合。

HBM基底裸片牽動AI晶片效能

主要是因為這顆HBM記憶體的基礎晶粒位在HBM底層，內建能決定資料傳輸速度的電路，台積電3奈米製程良率超過9成，遠高於三星的60%良率，也難怪輝達會認為交給台積電是更穩定的選擇。

資深產業顧問陳子昂指出，若GPU及HBM的基底裸片都交由台積電處理，輝達AI晶片在品質、效能及成本效率方面，都有機會獲得提升。

台積電先進製程布局持續擴大

看中的就是台積電的產能良率，台積電不僅在先進製程領域保持競爭力，本身先進製程腳步也不停歇，除了證實有機會在美國德州設廠，「台南再擴建一座3奈米廠外，包括1.4奈米預計在2028年量產，1.6奈米製程也已準備就緒，甚至更先進的A13、A12製程，都有望在三年內開始量產。

陳子昂認為，客戶希望台積電盡快推出1.4奈米製程，原定2028年量產的時程不排除提前至2027年底。

憑藉先進製程技術與產能布局，台積電與輝達的合作關係持續受到半導體產業關注。