台積電護城河有多深？ 英特爾技術長揭「難追關鍵」：不只比技術

AI算力需求持續飆升，全球半導體產業卻面臨設備供應跟不上需求的難題。英特爾技術長Pushkar Ranade近日接受Dwarkesh Podcast訪問時直言，即使資金不設上限，全球先進晶圓產能也不可能增加10倍，最多大約只能翻倍。問題不在電晶體設計，而是EUV曝光機、半導體製程設備、無塵室與晶圓廠建置速度都受到限制。

Ranade指出，全球每年交付的EUV設備不到100套，部分設備從下訂到交貨約需18個月，新廠擴建更可能耗時數年。這代表AI業者即使願意投入鉅資，也未必能立即換得更多晶片產能。當AI運算需求與實體製造能力出現落差，半導體競爭的核心，已從單純比拚技術，轉向設備供應、資本投入與量產效率的全面較量。

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台積電規模優勢持續擴大

Ranade認為，英特爾與台積電真正難以拉近的差距，在於長期累積的規模經濟。晶圓廠建成後，約80%的成本屬於固定成本，因此產能利用率與良率每提高一些，都可能帶來可觀的經濟效益。台積電憑藉龐大的全球客戶群與先進晶圓產量，能將廠房、設備等成本分攤到更多晶圓上；英特爾過去則主要為自家產品生產晶片，近年才積極拓展外部晶圓代工業務。

依訪談內容，台積電先進晶圓產量超過英特爾3倍，2026年資本支出約500億美元，英特爾則約200億美元。台積電也持續擴大市場領先地位，《TrendForce》統計，台積電2026年第二季晶圓代工營收市占率達72.5%，三星電子以5.9%居次。對英特爾而言，即使製程技術逐步追近，若無法提高產能利用率、擴大客戶基礎並改善良率，龐大的固定成本仍可能成為競爭包袱。

High-NA EUV成關鍵分水嶺！

先進設備的價值，也取決於各家晶片製造商採用的技術架構。英特爾製程主管Chris Auth指出，High-NA EUV曝光機透過提高數值孔徑，可在單次曝光中印出更精細的圖案，但設備價格極高，必須能減少多重曝光需求，才有機會證明投資效益。訪談估算，High-NA曝光機連同相關支援設備，整套系統約需4億美元。英特爾採用背面供電架構，將電源線移至晶圓背面，釋出正面佈線空間，因此認為High-NA有助降低曝光次數；台積電的製程架構不同，導入效益也不相同。

另一方面，英特爾過去曾因10奈米製程導入過多新技術而延誤進度，如今改採階段關卡審查，要求技術先達到良率、缺陷與效能標準，再進入下一階段。英特爾也計畫讓14A製程從一開始就提供較成熟的製程設計套件（PDK），改善18A初期在客戶設計工具與流程上的不足，爭取外部客戶信任。

技術只差幾個百分點

Ranade反駁英特爾與台積電之間仍存在整整一個世代的技術差距，認為雙方在效能、功耗與晶片密度等指標上，可能只差幾個百分點，但他強調，能否準時交貨、維持高良率並快速擴大產量，比單一技術指標更重要。英特爾規劃從18A邁向14A，部分既有設備可望沿用，有助降低新節點的設備需求與導入成本；不過，外部客戶是否願意採用，仍取決於製程成熟度、設計工具、交付可靠性與量產表現。

先進封裝也成為另一個戰場，英特爾持續發展EMIB與Foveros等技術，台積電則以CoWoS等方案服務AI晶片客戶，並已表態願意協助部分原先選擇英特爾封裝、卻面臨供應限制的客戶。從曝光機短缺到晶圓廠固定成本，再到封裝與客戶生態系，英特爾追趕台積電的挑戰不只是製程技術，而是能否建立可持續擴張的製造體系。

（封面圖／翻攝《Dwarkesh Patel》YT頻道）