華為突拋新晶片革命！ 喊2031直攻1.4奈米 正面挑戰輝達、AMD
中國自製DUV「可製8奈米晶片」？ 外媒打臉：僅能生產65nm
東森財經新聞
中國工業和信息化部9月中旬印發《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》，目錄中列出最新DUV曝光機，宣稱分辨率≤65nm、套刻精度≤8nm，消息令不少中國民眾雀躍，甚至認為可以生產8奈米晶片，但陸媒以及西方媒體卻認為，此款DUV曝光機僅能生產65奈米或以下的晶片。
根據陸媒《芯智訊》報導，有些人得知中國國產曝光機套刻精度≤8nm，於是認為這是8奈米，還大肆宣傳能夠生產8奈米晶片，甚至可以突破美國的技術封鎖，這是錯誤的訊息。
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《芯智訊》指出，氟化氪曝光機屬於老式的248奈米光源的KrF曝光機，解析度≤110nm、套刻精度≤25nm，再者目錄中的是乾式DUV曝光機，不是先進的浸沒式DUV曝光機（ArF曝光機）。
《芯智訊》說明，套刻精度指的是每一層曝光層之間的對準精度，依照工信部公布的DUV曝光機，估計僅能生產65奈米或以下的晶片。
不僅如此，西方媒體「WccfTech」也直言，大陸新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年，因為艾司摩爾（ASML）早在2009年就能透過ArF曝光機生產晶片。
（封面示意圖／Unsplash）
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