記憶體界大消息：三星開發出全球最小DRAM
2017/12/20 14:52 鉅亨網編譯許光吟 綜合外電
《路透社》報導，週三 (19 日) 全球記憶體大廠三星電子 (Samsung Electronics) 宣布，已開發出全球最小 DRAM 晶片，即 10 奈米級 8Gb DDR4 記憶體晶片，同時亦已經能夠量產。
三星電子表示，該款第二代 10 奈米級 8Gb DDR4 記憶體晶片，無論是在耗能或是處理速度上，都比前代晶片來得更優，而市場人士估計，三星電子在開發出此款記憶體晶片之後，已驗證三星電子與其他競爭對手的技術差距，又進一步地擴大。
目前全球 DRAM 記憶體市佔領跑廠商包括：三星電子、SK 海力士 (SK Hynix)、美商美光科技 (Micron Technology) 高居前三位，而三星電子記憶體部門總裁 Gyoyoung Jin 週三 (19 日) 表示，三星記憶體的積極擴張，將能夠繼續滿足市場的旺盛需求。
三星電子現行規劃，預計將在 2018 年把大部分的 DRAM 生產線，轉移生產 10 奈米級片，以提供電腦、電視、智慧型手機的未來需求。
眾所皆知地，近一年來全球 DRAM 記憶體市場供需狀況相當緊俏，刺激記憶體價格在過去一段時間高速翻漲，而展望 2018 年第一季，似乎 DRAM 記憶體的「降價行情」仍難到來。
三星電子透露，將於 2018 年第一季再上調 DRAM 價格 3% 至 5%，而另一 SK 海力士也將調漲約 5%；同時據記憶體供應鏈透露，其實明年第二季的價格恐怕也很難冷卻，估計第二季 DRAM 價格仍將上漲 5% 左右。
三星電子與海力士目前高踞全球最大二間 DRAM 廠商，囊括市占率達約 80%。
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