記憶體業務虧轉盈 三星發200%「績效獎金」
(2024/12/25 10:38)〈華邦電法說〉NOR Flash下半年市場回歸正常 新產能推升2020年前業績持續成長
記憶體大廠華邦電 (2344-TW) 今 (27) 日召開法說會,華邦電總經理詹東義表示,DRAM 自主研發的第一代 38 奈米技術今年產量將持續增加,25 奈米製程技術將在第 4 季量產,NOR Flash 目前供需健康,預期下半年市場將回復正常,他並強調,近 2 年投入的 350 億資本支出是為增加產能與進行技術轉置,將支撐華邦電到 2020 年前實力與業績持續成長,「今年、明年、後年情況都不錯」。
DRAM 產品部份,詹東義表示,華邦電持續提升製程技術,自主研發的第一代 38 奈米技術今年產量將持續增加,25 奈米製程技術將在第 4 季量產,許多舊的產能會移轉至 25 奈米,從第 4 季起的 2 年內都會持續增加,第三代 DRAM 製程技術也在開發中。
詹東義也說,38 奈米技術將是今年重頭戲,會持續優化產品組合與客戶組成,提升毛利率,且目前某些應用特定客戶對華邦電的需求越趨強勁,將是驅動未來 DRAM 業績主要成長動能。
詹東義強調,華邦電為目前全球第 4 家擁有自己 DRMA 製程開發的企業,紮根階段已完成,第一世代的 38 奈米技術從無到有,需要較多時間,第二世代 25 奈米將走得更穩,未來新技術節點的時間間隔,也會與其他同業差不多,未來在 DRAM 領域的實力將會越來越強。
Flash 部份,詹東義指出,NOR Flash 去年第 4 季到今年首季,市場庫存已消化得差不多,第 2 季起已回溫趨於穩健,目前供需健康,雖然廠商產能增加,但需求也同步成長,任何新產能開出,一段時間內就會有效地消化完成,預期下半年 Flash 市場將回復正常。
詹東義並強調,NOR Flash 方面華邦電走自己的路,客戶與產品組合均不同,下半年在 Flash 的營運表現不一定會與其他競業同調。華邦電原為低密度 NOR Flash 最大供應商,經過近 2 年製程轉換,中低密度佔比已提升,目前低密度佔比不到 5 成。
SLC NAND Flash 部份,詹東義表示,市場需求成長快速且相當強勁,營收比重逐季增加,他也重申,華邦電將專心走編碼儲存,不會做資料儲存,因此不會做 3D NAND 產品。
關於擴產產品線,詹東義指出,目前華邦電產品組合中,DRAM 與 Flash 營收占比相近,擁有 2 個同樣強勁的產品線,未來路將非常寬廣,因此擴產也會同步進行,去年到今年已投入約 350 億資本支出,就是為了進行技術轉置與增加產能,除製程技術大量投資外,各產品線產能都會逐步增加,將支撐華邦電到 2020 年前實力與業績持續成長,「今年、明年、後年情況都不錯」。
近年來華邦產能逐年增加,詹東義表示,華邦電從去年起每半年就增加產能,將從原本的 4.4 萬片增加至 4.8 萬片,再提升至 5.1 萬片,明年初可望進一步增加至 5.4 萬片。
針對美中貿易戰部分,詹東義表示,對華邦電產品影響看來不多,仍須留意是否會使全球經濟動能降低,進而影響產品需求。
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