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〈南茂展望〉記憶體封裝新品明年首季驗證完成 下半年發酵成動能
鉅亨網記者林薏茹 新竹
半導體封測大廠南茂 (8150-TW) 董事長鄭世杰今 (17) 日表示，近期包括標準型 DRAM、低容量 NAND Flash 等，均有封裝新品進行驗證中，預計明年首季完成，並於下半年陸續發酵，將成為明年下半年營收成長動能。
記憶體方面，鄭世杰表示，DRAM 部分，近期已有標準型 DRAM 新產品在驗證中，預計明年首季陸續完成，而 NAND Flash 也有低容量封裝新品持續進行中，預期 DRAM 與 NAND Flash 新品，均可望在下半年陸續發酵。
法人指出，南茂與美光雙方合作十分密切，南茂目前已有 DRAM 封裝新品在美光進行驗證，而南茂給美光的 DRAM 封裝全產能，每月上看 5000 萬顆。
南茂第 3 季記憶體封測營收占比約 39.6%，驅動 IC 占比約 51.1%，邏輯與混合訊號等占比約 1 成。其中，第 3 季受惠 DDIC 測試與 12 吋 COF 報價上調，帶動驅動 IC 營收季增幅度最大，據悉，南茂 10 月相關報價持續上調，第 4 季單季營收仍可望持續成長。
對於明年資本支出，鄭世杰表示，明年資本支出約為年營收 20% 至 25%，且超過一半以上的資本支出，主要以驅動 IC 封測為主。
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