台股小跌25點 櫃買瘋漲3.3% 記憶體＋PCB「17檔收漲停」
華邦電擬砸400億 擴充DRAM、Flash產能
記憶體廠華邦電總經理陳沛銘今天表示，看好未來營運表現，第4季動態隨機存取記憶體（DRAM）位元出貨量及產品平均售價將持續成長，NOR Flash價格也將攀高，將斥資逾新台幣400億元，同步擴充DRAM和Flash產能。
華邦電召開線上法人說明會，說明第3季營運結果。在快閃記憶體（Flash）及DRAM為主的客製化記憶體方案（CMS）業績同步成長帶動下，華邦電第3季營收達217.71億元，季增3.6%。
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在庫存評價回升挹注下，華邦電第3季毛利率躍升至46.7%，較第2季上揚24個百分點，營運轉虧為盈，歸屬母公司淨利29.43億元，每股純益0.65元。
陳沛銘指出，第3季CMS營收創下3年來新高，季增18%，位元出貨量增加4%至6%，產品平均售價揚升14%至16%%。第3季Flash營收季增4.2%，位元出貨量增加1%至3%，產品平均售價揚升約4%至6%。
陳沛銘說，第4季CMS位元出貨量及產品平均售價可望同步攀升，編碼型快閃記憶體（NOR Flash）價格也將上揚，第4季記憶體營收應可顯著成長，明年市場需求健康。
陳沛銘表示，先前董事會核准資本預算共計超過400億元，除擴充台中廠Flash產能，高雄廠月產能也將自1.5萬片，擴增到2.4萬至2.5萬片，加上製程技術推進到16奈米，位元產出將倍增。
（封面圖／中央社）
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