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華邦電擬砸400億 擴充DRAM、Flash產能

華邦電擬砸400億 擴充DRAM、Flash產能

記憶體廠華邦電總經理陳沛銘今天表示,看好未來營運表現,第4季動態隨機存取記憶體(DRAM)位元出貨量及產品平均售價將持續成長,NOR Flash價格也將攀高,將斥資逾新台幣400億元,同步擴充DRAM和Flash產能。

華邦電召開線上法人說明會,說明第3季營運結果。在快閃記憶體(Flash)及DRAM為主的客製化記憶體方案(CMS)業績同步成長帶動下,華邦電第3季營收達217.71億元,季增3.6%。

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在庫存評價回升挹注下,華邦電第3季毛利率躍升至46.7%,較第2季上揚24個百分點,營運轉虧為盈,歸屬母公司淨利29.43億元,每股純益0.65元。

陳沛銘指出,第3季CMS營收創下3年來新高,季增18%,位元出貨量增加4%至6%,產品平均售價揚升14%至16%%。第3季Flash營收季增4.2%,位元出貨量增加1%至3%,產品平均售價揚升約4%至6%。

陳沛銘說,第4季CMS位元出貨量及產品平均售價可望同步攀升,編碼型快閃記憶體(NOR Flash)價格也將上揚,第4季記憶體營收應可顯著成長,明年市場需求健康。

陳沛銘表示,先前董事會核准資本預算共計超過400億元,除擴充台中廠Flash產能,高雄廠月產能也將自1.5萬片,擴增到2.4萬至2.5萬片,加上製程技術推進到16奈米,位元產出將倍增。

(封面圖/中央社)

 

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關鍵字: 華邦電、 記憶體、 法說會
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