不只會做記憶體！愛普、華邦電搶攻「供電救星」產能直接被搶光

AI晶片競賽火熱，隨著GPU及AI加速器效能持續發展，晶片對供電需求愈來愈高，矽電容也成為先進封裝的焦點；愛普將S-SiCap矽電容發展成獨立產品線、華邦電則透過晶圓代工服務投入市場，將技術逐漸延伸到AI晶片供電需求。

口袋證券說明，台灣記憶體大廠紛紛藉現有技術，轉型滿足AI晶片日益提升的供電需求。愛普與華邦電分別以自主產品線及晶圓代工雙路徑搶攻矽電容市場，愛普利用既有DRAM堆疊式電容技術，推出S-SiCap矽電容，華邦電則擴展製程方案，提供客戶客製化設計與生產。

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記憶體延伸至高密度電容技術

口袋證券表示，矽電容是基於半導體製程，在矽晶圓上建構電容結構，透過立體結構提升電極面積，大幅增加電容量。愛普的S-SiCap矽電容便源自DRAM技術，經重新設計與製程優化，適用於高階晶片供電補償。這類技術不僅推動台廠進軍高密度被動元件領域，同時強化其在電容密度、元件厚度及封裝客製開發等競爭力。

AI高速運算對供電系統提出新挑戰

口袋證券指出，AI晶片在運算過程中，電流需求會隨負載劇烈變化。晶片瞬時需要大電流時，若供電系統反應不及，將導致短暫電壓波動甚至產生雜訊，而電容配置位置決定其支援效能。電容愈貼近晶片，電氣距離縮短，有助於應對負載變化與維持電壓穩定。

矽電容因薄型結構，能嵌入封裝底面、基板或中介層整合。愛普已公開多種產品配置並具備低等效串聯電感（ESL）、低等效串聯電阻（ESR）特性，優化高頻穩定運作。

而高電容密度亦提升空間利用率。隨先進封裝要求高密度運算晶片、HBM及互連設計，留給電容的空間極為有限。以愛普2025年12月的Gen4分離式矽電容為例，每平方毫米電容密度達3.8微法拉，較前代提升逾50%，讓更多可用電容量能夠融入有限的封裝面積內。此外，矽電容在多重溫度、電壓條件下展現穩定性，有利於高頻電路設計。

矽電容業務規模日益擴大

愛普的S-SiCap產品線展現強勁成長。2026年第2季營收達6.38億元，年增273%，占總營收27%。公司同步推進分離式矽電容、中介層一體化方案，嵌入封裝基板的IPD產品已於2026年第2季進入量產。公司預期IPD下半年營收貢獻加大，2027年可望進一步放量，S-SiCap營收占比有望超越IoTRAM，業務成長可根據產品出貨與營收持續追蹤。

以晶圓代工模式開拓矽電容市場

華邦電（2344）則專注於矽電容製程與代工服務，提供客戶完整製程設計套件與基本電容單元，根據晶片、尺寸及封裝需求量身訂做，並負責後續專線生產。公司透露多家MLCC業者已成為客戶，2026年專用產線產能全數被訂滿，正積極尋求擴產機會。本業務與既有DRAM產能分開運作，凸顯公司對矽電容業務的重視。

封裝整合能力成關鍵

口袋證券表示，隨著全球市場對矽電容需求急速上升。三星在2026年5月宣布與國際大客戶簽訂1.5兆韓元合約，供應矽電容至2028年。愛普矽電容產品已完成客戶封裝與可靠度驗證後陸續量產，產業供應商能否順利配合基板、封裝及系統需求導入，將影響技術商用的速度。

台廠積極將記憶體技術轉化為穩定供電的新解決方案，矽電容已成AI先進封裝不可或缺的元件。未來市場動態還需觀察產品導入、量產、擴產及營收貢獻，台廠能否建立持續性技術供應體系，將是矽電容業務成敗的關鍵。

（封面圖／翻攝Unsplash）