川普說我們是賊？ 曹興誠怒cue行政院：別悶著頭挨罵

針對美國前總統川普指稱台灣「偷走」半導體技術，前聯電董事長曹興誠嚴正駁斥，細數1976年向美國RCA購買技術的艱辛歷程。他強調台灣是透過巨資合約合法取得技術，並呼籲行政院應公開澄清，以免「矽盾」受損。

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澄清半導體技術取得真相

曹興誠在臉書發文指出，川普在接受福斯新聞專訪時，再次公開指責台灣偷竊美國半導體技術，但台灣政府與台積電至今卻全無澄清。曹興誠強調，「川普說台灣偷了美國的半導體技術，絕非事實，行政院應該公開澄清」。

跨海重金買下的國家賭注

回顧歷史，台灣半導體技術源自1976年3月5日，由工研院代表與美國RCA公司簽署為期10年的技術轉移合約。曹興誠回憶，在當年台灣人均年所得不到400美元的背景下，政府編列約1000萬美元的專案預算，這是一筆極為龐大的國家賭注。除了支付給RCA的350萬美元技術費，其餘資金則用於興建台灣首座3吋晶圓「示範工廠」，並派遣包括他在內，以及史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20餘位年輕工程師赴美實地培訓。

艱辛起步走向商業化成功

當時引進的是7微米CMOS技術，雖非美國當時最尖端的3.5微米NMOS技術，但考量價格便宜且省電，適合台灣消費電子業發展。隨著工研院示範工廠成功運作，政府決定將技術移轉給1980年成立的聯華電子，走向民間商業化。曹興誠表示，聯電在其帶領下於1983年創造每股近七元淨利，並於1985年上市，激勵了後續發展。

台積電初期的關鍵資源投入

1983年政府再投入一億美元研發3微米技術，並於1987年將400名研發工程師全數轉進新成立的台積電。曹興誠指出，台積電成立之初便以每年僅200萬美元的低廉費用租用工研院示範工廠，且事先獲得經濟部支付的700萬美元研發費用，等同「無償使用工廠3年半」，使其業務能順利起飛。

呼籲召開國際記者會正視聽

對於台積電因初期技術取得方式存在「化公為私」的爭議而避談技術來源，曹興誠認為，面對川普的侮辱與逼迫赴美設廠以拆除「矽盾」的行為，台灣不應再悶著頭挨罵。他強烈建議行政院、工研院、台積電召開國際記者會，詳細說明台灣投入鉅額資源、艱苦研發的經過，以正國際視聽。

（封面圖／翻攝自曹興誠臉書）