AI全新神隊友來了！ SK海力士攜新帝 甩出HBF黑科技

SK海力士與新帝發布高頻寬快閃記憶體（HBF）標準規範，成為介於HBM與SSD間的新記憶體層，兼具高傳輸與大容量優勢，突破AI算力牆！

海力士聯手新帝發布HBF標準

根據SK海力士於2026年8月4日發布的新聞稿指出，公司在加州聖克拉拉會議中心舉辦的「FMS 2026」展覽期間，正式宣布與新帝（Sandisk）合作發布次世代儲存技術「高頻寬快閃記憶體（HBF）」的首個標準規範。這項重要里程碑距離雙方於2025年8月展開初期標準化夥伴關係，以及2026年2月正式成立聯盟僅過去約半年時間。HBF技術是介於HBM與SSD之間的全新記憶體層。隨著自主AI與大型推論應用爆發，巨量數據處理需求急升，HBF透過NAND技術顯著擴充儲存容量，同時提供媲美HBM的高速資料傳輸，一次解決了頻寬與容量擴充性的雙重挑戰。

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技術規格與架構亮點

本次公開的標準規範涵蓋連接介面與電氣特性、HBF晶粒堆疊製程的可靠度與封裝指引，以及軟體I/O指引。此規格已透過全球最大開放資料中心技術組織「開放運算計畫（OCP）」發布，確立其為全產業共享的開放標準，而非獨佔技術。在關鍵的互連介面方面，HBF採用產業標準UCIe，為彈性整合GPU、CPU等不同類型的處理器奠定基礎。

打造開放生態系

SK海力士計畫藉由這次標準發布，加速HBF技術在AI儲存市場的應用並培養周邊生態系。目前Google與Tenstorrent均已加入HBF聯盟，未來將透過開放合作提升技術成熟度與市場接受度。在FMS 2026開幕首日，SK海力士解決方案開發首長金春成執行副總裁與次世代產品規劃首長康旭成副總裁發表聯合基調演講，主題為「在自主AI時代透過分層記憶體協調高效AI基礎設施」。演講中強調，面對自主AI可在無人工干預下自主設定目標、制定計畫並執行任務的趨勢，單一記憶體類型已無法應對複雜挑戰，必須建構將多元記憶體串聯並優化為統一系統的「分層記憶體」架構。

V10晶圓首度亮相

SK海力士在展覽現場設置展位，首度公開目前正在開發中的第十代（V10）375層4D NAND晶圓及相關產品。該款375層4D NAND相較於前代產品，每瓦效能提升了2.5倍，專為資料中心等極度注重能源效率與效能的AI基礎設施環境所設計。公司計畫於明年明年初開始量產基於該技術的高效能、大容量企業級SSD（eSSD）。針對產業趨勢，SK海力士解決方案開發首長金春成執行副總表示：「隨著AI應用迅速普及，我們正處於整體數據處理結構必須重新設計的時間點。透過HBF，SK海力士將擴展記憶體與儲存之間的界限，並為構建提升整體系統效率的新架構做出貢獻。」

（封面圖／翻攝自SK海力士官網）