聯電攜手Intel搶攻特殊製程 12nm FinFET是未來關鍵

晶圓代工大廠聯電（2303）今（30）日舉行股東會，聯電指出，與英特爾（Intel）合作的12奈米FinFET製程平台，將會是聯電未來追求具成本效益的產能擴張和技術節點升級策略中重要的一環，預計於2026年開發完成，並在2027年開始量產。

2024年1月，聯電與英特爾宣布雙方將合作開發12奈米FinFET製程平台，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長，這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的採購決策。

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聯電共同總經理簡山傑表示，聯電正積極開發的12奈米FinFET製程技術平台相對於前一代的14奈米FinFET製程技術平台，除了性能將大幅提升之外，晶片的尺寸也將變小，功耗能進一步降低，可充分發揮FinFET在性能、功耗、以及閘密度所具備的優勢、可廣泛用於各種半導體產品上，預計12奈米FinFET製程技術平台預計2026年開發完成，2027年進入量產。

▼聯電攜手英特爾正積極開發12奈米FinFET製程，預計於2026年開發完成，並在2027年開始量產。（圖／取自Unsplash）
另一位聯電共同總經理王石則表示，聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作，是聯電追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，此舉並延續聯電對客戶的一貫承諾，這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性，利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程，透過持續創新、差異化的特殊製程技術、與卓越的晶圓製造，不僅有助於強化客戶的競爭力，亦能提升客戶在半導體產業的市場地位。

簡山傑指出，面對充滿挑戰的大環境，聯電不斷導入新的特殊製程技術以鞏固多元化的產品線，並持續在產品組合優化上努力，儘管在去（2023）年的產能利用率較前一年明顯衰退，但聯電仍能維持穩健的結構性獲利能力，此強韌的財務績效表現歸功於聯電多元且緊密的客戶基礎，以及來自特殊製程的營收貢獻。

簡山傑繼續說道，聯電將持續透過多元化的製造基地及差異化的12吋特殊製程，與業界領先企業合作開發下一世代產品，並深化與關鍵客戶的策略夥伴關係，在競爭激烈的市場和不斷升溫的地緣政治緊張局勢中逆風前進，創造獲利的成長及穩健良好的股東報酬。

聯電去年晶圓代工年出貨量達到3195000片12吋晶圓，年營收新臺幣2225億元，毛利率為34.9%，營業利益率為26.0%，歸屬母公司的全年獲利新臺幣610億元，EPS 4.93元，資本支出約30億美元（約971億元新台幣），主要投資於各廠產品組合優化所需，以及南科Fab 12A與新加坡Fab 12i的產能擴充，此擴建計畫將有助於聯電在兼顧長期獲利能力與市佔率的穩健成長。