中國SiC產能告急！台廠迎轉單 「12檔供應鏈」布局一次看

高壓快充與AI資料中心正將電力轉換效率推向更高標準，帶動碳化矽（SiC）應用從車用系統擴大至伺服器電源與能源設備。市場傳出中國部分SiC晶圓代工產能吃緊，境外客戶尋求代工未果後轉向台灣業者接洽，使12家台廠供應鏈隨之受到關注。

電力系統全面導入SiC

口袋證券表示，充電設備必須將電網輸入的電力轉換成電池所需的電壓與電流。隨著充電功率提高，功率元件的電壓電流承受力、轉換損耗、散熱與體積都成為設計重點。SiC屬於寬能隙半導體，具備高壓、高溫與高速切換特性，導入後可降低電力轉換損耗、提高功率密度，並減輕散熱與被動元件負擔。目前業者已提供650V與1200V SiC二極體，廣泛應用於伺服器電源、充電樁、不斷電系統及太陽能逆變器。

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AI機櫃邁向1MW 800V

口袋證券談到，隨著AI算力密度提升，NVIDIA提出的800V直流供電路線規畫自2027年起支援1MW及更高功率的機櫃。提高配電電壓可以在相同輸送功率下減少電流，降低線路損耗與銅材需求。在此架構中，SiC主要用於部分高壓轉換、整流與電力保護環節，與矽及氮化鎵元件依不同電壓、頻率與成本要求進行分工。

基板跌價與代工吃緊並存

口袋證券指出，回顧2024年，全球導電型SiC基板營收約10.4億美元，年減9%，主因汽車與工業需求走弱及市場競爭致價格明顯下跌。然而，基板供應量無法直接代表元件可用產能，一片基板仍需經過磊晶、元件製作、測試及封裝才能進入設備。即使材料充足，特定耐壓規格、元件結構或已通過客戶認證的代工產線仍可能出現供應限制，因此不能將部分產線吃緊直接擴大解讀為全球SiC全面短缺。

成本競爭進入下一階段

晶圓尺寸升級也是SiC產業的關鍵變化。8吋晶圓面積比6吋增加約78%，在晶粒尺寸相同且製程良率達標時，有機會提升單片晶粒產出並分攤製造成本。不過大尺寸SiC仍須克服晶體缺陷、磊晶均勻性、製程穩定度及設備投資等問題，因此6吋成熟產線與8吋新產線將依客戶產品與成本條件並存，轉單也需逐項匹配。

12台廠供應鏈分工佈局

口袋證券分析，台灣業者已在材料、代工與模組等多個環節建立布局，高功率應用增加後，各環節必須共同配合才能發揮整體電力系統效率。相關業者依公開產品與技術布局整理如下：

• 環球晶（6488）：布局SiC晶圓及SiC磊晶，位於功率元件製造的上游材料環節，業務關鍵在於材料品質、尺寸規格與客戶認證。
• 廣運（6125）：透過旗下盛新材料投入SiC長晶與基板，公開產品涵蓋6吋及8吋導電型基板。
• 嘉晶（3016）：提供6吋與8吋SiC磊晶產品，磊晶層的厚度、摻雜濃度與均勻性為後續功率元件設計製造的重要條件。
• 漢磊（3707）：具備SiC二極體與MOSFET製程平台，可服務設計公司，亦提供整合元件製造商委外生產與第二供應來源需求。
• 台亞（3061）：旗下積亞投入SiC二極體、MOSFET及客製化晶圓製造，發展磊晶與製程能力，業務延伸至功率元件製造。
• 茂矽（2342）：參與工研院推動的國產SiC元件供應鏈，承接相關晶圓代工合作，屬於製程與製造環節。
• 鴻海（2317）：旗下鴻揚建立SiC製程平台並參與國產功率元件供應鏈，連結集團半導體布局。
• 強茂（2481）：具備650V與1200V SiC蕭特基二極體產品，應用涵蓋充電樁、伺服器電源、太陽能逆變器及工業設備。
• 台半（5425）：已推出SiC蕭特基整流器，並投入SiC MOSFET研發，延伸既有功率半導體產品組合。
• 尼克森（3317）：承接工研院SiC功率元件技術移轉，並透過國內晶圓代工合作參與SiC元件供應鏈建置。
• 朋程（8255）：公開產品包含1200V、400A SiC MOSFET功率模組，亦布局SiC裸晶與離散元件，重點在車用電力轉換與模組整合。
• 同欣電（6271）：承接工研院車用SiC模組技術移轉，布局功率模組封裝，並延伸至固態變壓器等高功率應用。

（封面示意圖/AI生成）