CoWoS供電新寵！「這元件」村田、三星搶布局 6台廠卡位

隨AI運算需求爆發，GPU與HBM等元件紛紛擠進先進封裝中，但功耗暴增與低電壓切換卻帶來嚴峻的供電挑戰，此時具備薄型化、高電容密度與低寄生效應的「矽電容」重要性逐漸提升。口袋證券指出，矽電容正逐步串聯起被動元件、記憶體、晶圓代工與電源管理等產業，國際大廠如村田、三星電機相續擴產或簽下長約，台廠6家業者亦積極搶進。

供電挑戰升級

在相同功率下，供電電壓越低所需的電流就越大。當AI晶片以低電壓運作且負載快速切換時，供電路徑上的電阻會造成壓降與能量損耗，寄生電感則會引發電壓擾動。為了維持電壓穩定，需要電容在局部扮演電荷緩衝的角色，於負載驟增時及時釋放電荷。然而，若電容距離晶片太遠，導線與封裝結構的寄生效應會大幅限制其作用，因此「縮短電流迴路」並讓電容更靠近晶片用電位置，成為先進封裝設計的當務之急。

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矽電容優勢

矽電容利用半導體製程在矽基板上打造立體結構，能降低供電雜訊與負載切換干擾（即「去耦」能力）。其核心價值包含：

1. 高電容量： 透過立體結構增加有效表面積，在極小平面面積內提供高電容。
2. 極致薄型化： 適合放入空間高度受限的封裝位置（如村田已開發出厚度低於40微米的矽電容）。
3. 穩定性高： 容值不易受直流偏壓與溫度變化影響，且等效串聯電感與電阻較低。

深溝槽與堆疊式結構

高密度矽電容目前主要有兩大立體化技術路線：

• 深溝槽電容（DTC）： 在矽基板蝕刻深窄溝槽再形成電極與介電層，仰賴深槽蝕刻與薄膜沉積等精密製程。
• 堆疊式電容： 利用立體電極結構提升面積，如愛普的S-SiCap即延伸自DRAM堆疊式電容技術。

在與傳統積層陶瓷電容（MLCC）的分工上，村田指出兩者為互補關係：MLCC負責整體供電需求，而矽電容則因貼近晶片，更適合處理高頻去耦。

台積電CoWoS與供應鏈重塑

矽電容可整合於矽中介層，或製成獨立元件嵌入封裝基板。以台積電CoWoS為例，CoWoS-S可在矽中介層整合嵌入式DTC，而CoWoS-L則可以在晶粒下方整合獨立的嵌入式DTC。這意味著封裝架構演進不僅改變了產品形式，也讓商業價值分布在元件、晶圓製造與封裝服務中。

產能擴充、長約與併購大作戰

矽電容已具備具體的產能與商業合作：

• 村田（Murata）： 於2024年啟用法國Caen的新200毫米量產線以擴充矽電容產能。
• 三星電機（SEMCO）： 2026年5月公布取得金額高達約1.557兆韓元的矽電容供貨合約，供貨期間自2027年至2028年。
• ADI與Empower： Empower於2026年2月推出嵌入式矽電容；ADI隨後於5月宣布以15億美元收購Empower，拓展矽電容與整合式穩壓器技術布局。

台廠概念股營運進展

台灣供應鏈在記憶體設計、晶圓代工與先進封裝均有布局，口袋證券臉書為投資人釐清6家相關廠商的實際角色與進度：

• 愛普（6531）： 以堆疊式技術發展S-SiCap，Gen4電容密度達3.8 μF/mm²。2026年第2季S-SiCap營收約新台幣6.38億元（年增273%），占合併營收約27%，且嵌入基板的矽電容IPD與底部電容均已量產。
• 力積電（6770）： 在3D AI Foundry布局矽電容IPD與矽中介層製造能力，並已與愛普簽訂長期產能保障協議，後續以晶圓代工製造收入為主。
• 華邦電（2344）： 延伸記憶體技術，3DCaaS服務支援Silicon-Cap，並將CUBE與Si-Cap列為帶動2027年後新一輪成長的展望項目。
• 聯電（2303）： 結合DTC與矽中介層異質整合方案，並與封測廠合作推進量產及新技術開發。
• 台積電（2330）： 將DTC整合能力納入CoWoS-S與CoWoS-L平台，主要體現在提升整體先進封裝的競爭力上。
• 來頡（6799）： 透過電源管理設計能力參與協同開發。

（封面示意圖/AI生成）