長鑫存儲出招 記憶體市場大洗牌？ 台廠影響評估曝

中國DRAM大廠長鑫存宣布，其4F² DRAM架構取得關鍵研發進展，並規劃於2026年底推出結合新架構與混合鍵合技術的DDR5 RDIMM伺服器記憶體產品，正式將戰線推向高技術門檻的伺服器領域，引發市場對全球記憶體供給與台廠供應鏈影響的高度關注。

4F²架構微縮晶片

口袋證券指出，DRAM儲存單元由1個電晶體與1個電容組成。在最小特徵尺寸（F）相同的條件下，相較於常見的6F²架構，4F²架構（相當於2F乘以2F）的理論單元面積可縮小約33％，能在同等晶圓面積下容納更多儲存單元，進而提高產出並降低單位容量成本。不過，實際成本改善幅度仍需扣除新增製程、良率及測試成本，無法直接等同於33％的降幅。

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結合垂直電晶體與混合鍵合

口袋證券表示，長鑫4F²架構的核心在於自主研發的VSG垂直環繞閘極電晶體，藉由垂直結構與環繞式閘極強化電流控制，解決微縮時的漏電與短通道效應。此外，該產品結合了混合鍵合技術，透過細密金屬與介電層接合不同晶圓或晶片，達成記憶體陣列與周邊電路的立體整合。此技術方向與SK海力士於2025年提出的發展路線不謀而合，顯示產業競爭已擴展至電晶體結構、材料與整合層面。

挑戰伺服器認證門檻

伺服器記憶體模組DDR5 RDIMM透過暫存器緩衝命令與位址訊號，能降低控制器負載並維持長期高負載運作。伺服器客戶極為重視長時間可靠性、CPU與主機板相容性及穩定度，供應商必須與處理器廠商合作完成嚴苛的驗證與老化測試。長鑫首代4F²產品即定位於DDR5 RDIMM，顯示其布局高階應用的野心，惟目前會議尚未公布完整規格與上市時程，後續量產能力仍有待驗證。

短期供應依舊吃緊

口袋證券強調，若長鑫成功通過驗證並以穩定良率量產，將增加伺服器DRAM的供應來源，進而影響既有廠商的定價權與客戶採購策略。然而短期來看，9月底產業研究預估2026年第4季傳統DRAM合約價將季增10％至15％，且伺服器DRAM受限於前段製造、零組件及封測產能，短期供應依舊吃緊。新技術帶來的供給潛力與現階段的供需缺口將同步存在。

DDR5與HBM分工明確

在AI系統架構中，HBM負責靠近AI加速器的高頻寬資料傳輸，而伺服器DDR5則擔任系統主記憶體。隨著AI延伸至推論與企業應用，系統記憶體的容量與穩定度日益關鍵。長鑫推進DDR5 RDIMM雖能參與AI資料中心供應鏈，但並不等同於其已具備高階HBM的量產能力。

台廠影響評估分析

口袋證券分析，台灣記憶體業者因產品定位不同，受影響程度有所差異：

• 南亞科（2408）：以DRAM為核心，產品涵蓋DDR5、DDR4及低功耗記憶體。長鑫在密度、製程與伺服器產品上的進展，與DRAM製造商的技術及成本競爭較為相關。
• 華邦電（2344）：產品包含利基型DRAM、行動記憶體與程式碼儲存型快閃記憶體。由於應用市場與產品組合不同，不能將伺服器DDR5的競爭變化，直接套用到全部業務。
• 威剛（3260） 十銓（4967）：布局記憶體模組、SSD與工業應用。從產業分工推論，新增供應來源可能改變採購選擇，但營運影響仍取決於產品認證、採購成本、庫存與終端需求。

長鑫此次4F²進展，為記憶體產業增加了新的競爭變數。它所挑戰的，包含儲存單元效率、製造成本與伺服器供應資格。

（封面示意圖／AI生成）