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全球半導體資出可望創新高 京鼎等業者吃補

鉅亨網記者蔡宗憲 台北
全球半導體資出可望創新高 京鼎等業者吃補

半導體產業上半年資本支出金額顯著成長,研調機構 IC Insights 一舉上調全年資本支出金額,估達 809 億美元,較去年成長 20%,可望創歷史新高,其中 DRAM 產業大擴產,資本支出金額估較去年成長 53%,為各領域之冠,其次是 FLASH 的成長 33%。

IC Insights 上調的資本支出金額,也優於先前預估的 756 億美元,較去年成長 12% 還樂觀,顯示整體產業景氣持續擴張中;受到半導體資本支出金額成長帶動,台灣相關設備廠商,包含京鼎 (3413-TW)、帆宣 (6196-TW)、弘塑 (3131-TW) 等廠商,營運表現皆可望受惠。

     弘塑相關權證

弘塑相關權證。 資料來源:取自元富權證網
弘塑相關權證。 資料來源:取自元富權證網

 

IC Insights 指出,今年半導體產業資本支出金額,28% 集中在晶圓廠,24% 則在 NAND FLASH,兩者就占整體資本支出金額的 52%,DRAM 占比約 16%,不過以支出金額成長幅度來看,今年 DRAM 產業資本支出金額估較去年成長 53%,為各領域之冠,其次才是 FLASH 的 33%,晶圓代工雖然金額比重大,但今年資本支出金額較去年僅成長 4%。

IC Insights 表示,由於 DRAM 價格自去年第 3 季開始揚升,各家製造廠因此同步花費增加產能,海力士近期就指出,單靠製程升級帶動,已無法滿足市場需求,因此必須開始增加產能。

雖然今年 DRAM 產業資本支出大幅增加,不過 FLASH 整體支出金額仍比 DRAM 多,IC Insights 表示,今年 FLASH 產業資本支出多用在 3D NAND 產能建置上,今年 FLASH 資本支出金額估較去年增加 33%,創下 2016 年當年成長 23% 以來最高。

不過,IC Insights 認為,記憶體產業當中,每次過多的資本支出與擴產,最後都會導致產能過剩以及產品價格下滑,近年海力士、美光、英特爾、東芝等皆宣布將大幅提升 3D NAND 的產能規模,可預期未來 NAND 的風險也將持續增加。

 

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關鍵字: 半導體資本支出設備DRAMFLASHheadline
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